Elementos fundamentales

Capacidad
256 GB
Estado
Launched
Fecha de lanzamiento
Q2'19
Condiciones de uso
PC/Client/Tablet

Especificaciones sobre rendimiento

Lectura secuencial (máximo)
1450 MB/s
Escritura secuencial (máximo)
650 MB/s
Latencia - Lectura
8 µs (4K Blocks)
Latencia - Escritura
30 µs (4K Blocks)
Alimentación - Activa
5.3W
Alimentación - Inactiva
L1.2 : <12mW

Confiabilidad

Vibración - En funcionamiento
2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
Vibración - No en funcionamiento
3.13 GRMS (5-800 Hz) Max
Choque (en funcionamiento o no en funcionamiento)
1000 G / 0.5 ms and 1500 G / 0.5 ms
Rango de temperatura de funcionamiento
0°C to 70°C
Temperatura de funcionamiento (máxima)
70 °C
Temperatura de funcionamiento (mínima)
0 °C
Clasificación de resistencia (nº de escrituras durante la vida útil)
75TBW
Tiempo promedio entre fallos (MTBF)
1.6 Million Hours
Tasa de errores de bit incorregibles (UBER)
< 1 sector per 10^15 bits read
Periodo de garantía
5 yrs

Información complementaria

Hoja de datos
Información sobre el producto
URL de información adicional
Descripción
Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

Especificaciones de paquete

Peso
Less than 10 grams
Formato
M.2 22 x 80mm
Interfaz
PCIe 3.0 x4, NVMe

Tecnologías avanzadas

Mejoras en la protección contra pérdida de datos y el consumo de energía
Supervisión y registro de temperatura
Protección de datos de extremo a extremo
Tecnología Intel® Rapid Start