SANTA CLARA, California, y MIGDAL HAEMEK, Israel, 5 de septiembre de 2023 - Intel Foundry Services (IFS) y Tower Semiconductor (Nasdaq: TSEM), uno de los líderes en fundición para soluciones de semiconductores analógicos, han anunciado hoy un acuerdo por el que Intel proporcionará servicios de fundición y capacidad de fabricación de 300 mm para ayudar a Tower a servir a sus clientes a nivel mundial. Según el acuerdo, Tower utilizará las avanzadas instalaciones de fabricación de Intel ubicadas en Nuevo México. Tower invertirá hasta 300 millones de dólares para adquirir y poseer equipos y otros activos fijos que se instalarán en la mencionada planta de Nuevo México, lo que proporcionará un nuevo corredor de capacidad de más de 600.000 fotocapas al mes para el futuro crecimiento de Tower, permitiendo que la capacidad respalde la demanda prevista de los clientes de procesamiento analógico avanzado de 300 mm.
Este acuerdo demuestra el compromiso tanto de Intel como de Tower para ampliar sus respectivas huellas de fundición con soluciones y capacidades a escala sin precedentes. Intel fabricará los flujos BCD (bipolar-CMOS-DMOS) de administración de energía de 65 nanómetros altamente diferenciados de Tower, entre otros flujos en la Fab 11X de Intel en Río Rancho, Nuevo México.
Stuart Pann, vicepresidente senior de Intel y director general de Intel Foundry Services, dijo: "Lanzamos Intel Foundry Services con la visión a largo plazo de ofrecer la primera fundición de sistema abierto del mundo que reúne una cadena de suministro segura, sostenible y resistente con lo mejor de Intel y nuestro ecosistema. Estamos encantados de que Tower vea el valor único que aportamos y nos haya elegido para abrir su corredor de capacidad de 300 mm en EE.UU.".
Russell Ellwanger, Consejero Delegado de Tower, ha declarado: "Estamos encantados de seguir trabajando con Intel. De cara al futuro, nuestro principal objetivo es ampliar nuestras relaciones con los clientes mediante la fabricación a gran escala de soluciones tecnológicas de vanguardia. Esta colaboración con Intel nos permite cumplir las hojas de ruta de demanda de nuestros clientes, con especial atención a las soluciones avanzadas de gestión de energía y de silicio sobre aislante (RF SOI) para radiofrecuencia, con la plena cualificación del flujo de procesos prevista para 2024. Vemos esto como un primer paso hacia múltiples soluciones sinérgicas únicas con Intel".
Este acuerdo muestra cómo IFS permite el acceso a corredores de capacidad de fabricación en toda la red mundial de fábricas de Intel, incluidos EE.UU., Europa, Israel y Asia. Además de las inversiones existentes en Oregón y las previstas en Ohio, Intel lleva más de 40 años invirtiendo e innovando en la región suroeste de EE.UU., con centros en Arizona y Nuevo México. Intel anunció previamente una inversión de 3.500 millones de dólares para ampliar sus operaciones en Nuevo México y equipar su campus de Río Rancho, uno de sus centros de innovación, para la fabricación de envases de semiconductores avanzados.
Para Tower, este es el siguiente paso en su camino hacia el aumento de escala, sirviendo a una base de clientes en expansión en tecnologías de 300 mm, liderada por la fuerte adopción en el mercado de sus tecnologías de potencia BCD de 65nm y RF SOI, líderes en la industria. En concreto, la tecnología BCD de 65 nm de Tower ofrece a los clientes una mayor eficiencia energética, un tamaño y un coste de la matriz mejorados gracias a su figura de mérito Rdson, la mejor de su clase. De manera similar, la tecnología de Tower de 65nm RF SOI ayuda a sus clientes a reducir el consumo de batería de los teléfonos móviles mientras mejora las conexiones inalámbricas a través de su métrica de figura de mérito RonCoff líder en su clase. El aumento de escala resultante de este acuerdo permitirá a Tower no sólo atender mayores oportunidades con las tecnologías existentes, sino también mejorar las asociaciones con clientes líderes del sector que ayudarán a forjar sólidas hojas de ruta tecnológicas de próxima generación.
IFS es un pilar fundamental de la estrategia IDM 2.0 de Intel, y el anuncio de hoy representa otro paso adelante en la transformación plurianual de Intel para recuperar y reforzar el liderazgo tecnológico, la escala de fabricación y el crecimiento a largo plazo. IFS ha realizado importantes avances en el último año, como demuestra su aumento de ingresos de más del 300% interanual en el segundo trimestre de 2023. Este impulso queda ilustrado por el reciente acuerdo de Intel con Synopsys para desarrollar una cartera de propiedad intelectual sobre los nodos de proceso Intel 3 e Intel 18A. Intel también se adjudicó el programa Rapid Assured Microelectronics Prototypes - Commercial (RAMP-C) del Departamento de Defensa de los EE. UU., con cinco clientes de RAMP-C que participan en el diseño de Intel 18A.
Declaraciones prospectivas
Este comunicado contiene declaraciones prospectivas que implican una serie de riesgos e incertidumbres. Dichas afirmaciones incluyen las relativas a los planes de negocio, la estrategia de Intel y los beneficios previstos de los mismos, incluso con respecto a sus ambiciones de fundición externa, el modelo de fundición interna, la estrategia IDM 2.0, los planes de expansión de la capacidad de fabricación, la expansión de la cartera de IP y los acuerdos con Tower u otros clientes. Tales declaraciones implican muchos riesgos e incertidumbres que podrían hacer que los resultados reales de Intel difieran materialmente de los expresados o implícitos, incluyendo: cambios en la demanda de los productos de Intel; la incapacidad de Intel para materializar los beneficios previstos de su estrategia, planes y transacciones propuestas; el alto nivel de competencia y el rápido cambio tecnológico en la industria de los semiconductores; las importantes inversiones iniciales en I+D y en el negocio, productos, tecnologías y capacidades de fabricación de Intel; la complejidad y la naturaleza de coste fijo de las operaciones de fabricación de semiconductores; retrasos en la construcción o cambios en los planes debido a factores empresariales, económicos o de otro tipo; aumentos en los requisitos de capital y cambios en los planes de inversión de capital; cambios adversos en los incentivos gubernamentales previstos y la aprobación asociada relacionada con las inversiones de capital previstas por Intel;vulnerability to new product development and manufacturing-related risks, including product defects or errata, particularly as Intel develops next generation products and implements next generation process technologies; risks associated with a highly complex global supply chain, including from disruptions, delays, trade tensions, or shortages; sales-related risks, including customer concentration and the use of distributors and other third parties; potential security vulnerabilities in Intel products; cybersecurity and privacy risks; investment and transaction risk; IP risks and risks associated with litigation and regulatory proceedings; evolving regulatory and legal requirements across many jurisdictions; geopolitical and international trade conditions; Intel’s debt obligations; risks of large scale global operations; macroeconomic conditions; impacts of the COVID-19 or similar such pandemic; and other risks and uncertainties described in Intel’s earnings release dated July 27, 2023, 2022 Annual Report on Form 10-K and other filings with the U.S. Securities and Exchange Commission (SECpor sus siglas en inglés). Toda la información contenida en este comunicado de prensa refleja la opinión de la dirección de Intel a fecha de hoy, a menos que se especifique una fecha anterior. Intel no se compromete, y rechaza expresamente cualquier obligación, de actualizar dichas declaraciones, ya sea como resultado de nueva información, nuevos desarrollos u otros motivos, excepto en la medida en que la divulgación pueda ser exigida por ley.
Acerca de Tower Semiconductor
Tower Semiconductor Ltd. (Nasdaq: TSEM, TASE: TSEM), fundición líder de soluciones de semiconductores analógicos de alto valor, proporciona plataformas tecnológicas y de fabricación para circuitos integrados (CI) en mercados en crecimiento como el de consumo, industrial, automoción, móvil, infraestructuras, médico y aeroespacial y defensa. Tower Semiconductor se centra en crear un impacto positivo y sostenible en el mundo a través de asociaciones a largo plazo y su oferta de tecnología analógica avanzada e innovadora, compuesta por una amplia gama de plataformas de proceso personalizables como SiGe, BiCMOS, señal mixta/CMOS, RF CMOS, sensor de imagen CMOS, sensores sin imagen, gestión de potencia integrada (BCD y 700V) y MEMS. Tower Semiconductor también ofrece a los IDM y a las empresas sin fábrica servicios de diseño de primera clase para un ciclo de diseño rápido y preciso, así como servicios de transferencia de procesos que incluyen el desarrollo, la transferencia y la optimización. Para ofrecer a sus clientes un abastecimiento multifabricante y una mayor capacidad, Tower Semiconductor posee dos plantas de fabricación en Israel (150 mm y 200 mm), dos en EE.UU. (200 mm), dos en Japón (200 mm y 300 mm) de las que es propietaria a través de su participación del 51% en TPSCo, y comparte una planta de fabricación de 300 mm que STMicroelectronics está construyendo en Italia. Para obtener más información, visite www.towersemi.com.
Refugio legal para declaraciones prospectivas
El presente comunicado de prensa contiene previsiones de futuro sujetas a riesgos e incertidumbres. Los resultados reales pueden diferir de los proyectados o implícitos en dichas previsiones. Un análisis completo de los riesgos e incertidumbres que pueden afectar a la exactitud de las declaraciones prospectivas incluidas en el presente comunicado de prensa o que pueden afectar de otro modo a la actividad empresarial de Tower se incluye bajo el título "Factores de riesgo" en los registros más recientes de Tower en los formularios 20-F y 6-K, tal y como se presentaron ante la Securities and Exchange Commission (la "SEC") y la Autoridad de Valores de Israel. Tower no tiene intención de actualizar la información contenida en el presente comunicado y renuncia expresamente a cualquier obligación de actualizarla.