Intel® 14A-E

Un avance generacional

• Con transistores gate-all-around RibbonFET 2 y suministro de energía desde la parte posterior PowerDirect, para lograr una eficiencia y un desempeño sin precedentes.
• Ofrece una mejora del desempeño del 15 % al 20 % con el mismo consumo de energía, o una reducción del consumo del 25 % al 35 % con el mismo desempeño y una mejora de hasta el 30 % en la densidad de chip en comparación con Intel® 18A.¹
• Las celdas turbo aceleran el desempeño de la CPU/GPU, a la vez que permiten a los diseñadores ajustar las compensaciones de desempeño energético a nivel de bloque para las aplicaciones objetivo.

Intel® 18A

Innovación líder en la industria

• Presenta la primera combinación en la industria de transistores gate-all-around RibbonFET y el suministro de energía desde la parte posterior de PowerVia.
• Ofrece hasta un 18 % más de desempeño a energía iso, un 38 % menos de consumo de energía a desempeño iso y una mejora de la densidad de chip del 30 % en comparación con Intel® 3.²
• PowerVia mejora la utilización de las celdas estándar y reduce la caída de IR, lo que mejora el suministro de energía y la eficiencia del desempeño.
• RibbonFET permite un control electrostático mejorado, un mayor desempeño por vatio y un funcionamiento de Vmin más bajo.
• Listo para diseños con asistencia total del ecosistema y habilitación de diseño.
• La familia de nodos Intel® 18A también incluye Intel® 18A-P, que ofrece un incremento de hasta un 9 % en el desempeño por vatio y una eficiencia energética mejorada³, e Intel® 18A-PT para una integración 3DIC avanzada.

Conozca más

Intel® 3

Nuestro mejor nodo FinFET

• Aproveche UVE y las bibliotecas mejoradas para una mejor corriente de accionamiento y eficiencia de interconexión.
• Ofrece una mejora del desempeño del 18 % a energía iso y una mejora de la densidad de chips de hasta un 8 % en comparación con Intel 4.⁴
• Ideal para aplicaciones informáticas generales, que equilibran el desempeño y la eficiencia.
• La familia incluye Intel® 3-E, con una oferta de capacidades de E/S y analógicas ampliadas, e Intel® 3-T, que proporciona TSVs de pass-through para apilamiento de alta densidad.
• En producción en grandes volúmenes y disponible exclusivamente como un nodo de Servicios de diseño.

Nodo de proceso de 12 nm de Intel y UMC

Innovación colaborativa

• Desarrollado con UMC, combina la experiencia de Intel en FinFET con la experiencia de UMC en lógica y RF.
• Ofrece un 10 % más de desempeño utilizando dispositivos FinFET optimizados y una reducción de energía del 20 % al disminuir el voltaje en comparación con la tecnología de 14 nm de UMC (14FFC).
• Optimizado para los mercados de tecnología móvil, inalámbrica y de redes.
• Oferta de una cadena de suministro alternativa diversificada y resiliente, compatible con aplicaciones de alto crecimiento.

Intel® 16

Ventajas de FinFET con la flexibilidad de planar

• Ofrece un desempeño de clase de 16 nm con menos máscaras y reglas de diseño de back-end simplificadas.
• Muy adecuado para aplicaciones de almacenamiento, RF, mmWave y del consumidor.
• Comportamiento de los canales cortos mejorado en una amplia variedad de longitudes de canal.
• En producción de alto volumen de Intel® Foundry en Fab 24 en Irlanda.

Alianzas del ecosistema del acelerador Intel® Foundry

Disfrute de asistencia integral en áreas clave de socios del ecosistema en IP, EDA, servicios de diseño, nube, USMAG, cadena de valor y alianzas de chiplets.

Conozca más

Los líderes de la industria confían en Intel® Foundry

Con los productos Intel® 18A ahora en el mercado y una cartera de nodos en expansión, los clientes eligen Intel® Foundry para disfrutar de un desempeño y una eficiencia líderes.

Hemos anunciado planes para establecer Intel® Foundry como una subsidiaria, lo que les ofrece a los clientes una mayor garantía y una separación de compromisos más clara.