Desarrolle con tecnologías de procesos de fabricación de vanguardia
Aproveche el legado de Intel que ofrece innovación constante y continúa hoy con Intel Foundry.
Más de cinco nodos en cuatro años (5N4Y)
Con la ejecución en marcha de nuestro ambicioso objetivo de cinco nodos en cuatro años (5N4Y), Intel reveló una hoja de ruta de tecnología de procesos ampliados en Intel Foundry Direct Connect '24 que agrega:
- Intel 14A al plan de nodos de vanguardia de la empresa,
- varias evoluciones de nodos especializados para Intel 3, Intel 18A e Intel 14A, incluido Intel 3-PT con vías a través de silicio para diseños de empaquetados avanzados 3D y
- nodos de proceso maduros, incluidos los nuevos nodos de 12 nanómetros que se esperan mediante el desarrollo conjunto con UMC.
Los clientes listos para diseñar pueden comenzar su compromiso con Intel Foundry hoy mismo.
Intel 18A: la mayor innovación desde FinFET
Presenta RibbonFET y PowerVia:
- Es nuestra mayor innovación desde que Intel presentó FinFETs a HVM en 2011.
- RibbonFET, la implementación de Intel Foundry de un transistor Gate-all-around (GAA), mejora la densidad y el desempeño en comparación con FinFET.
- La pila de cinta optimizada ofrece un desempeño superior por vatio y un voltaje de alimentación mínimo (Vmin).
- PowerVia es la implementación única de Intel de la arquitectura de suministro de energía trasera que mejora la utilización de celdas estándar en entre un 5 % y un 10 % y el desempeño de ISO-power en hasta un 4 %.1
- Adecuado para High Performance Computing (HPC) y aplicaciones móviles.
Intel 3: principal nodo FinFET de Intel
Alto desempeño por vatio con un amplio uso de ultravioleta extrema (EUV):
- Evolución de Intel 4 con una mejora de 1,08 veces la densidad de chips y 18 % en desempeño por vatio.2
- Añade una biblioteca más densa, una mejor corriente de conducción y la interconexión, a la vez que se beneficia de los aprendizajes de Intel 4 para lograr un mejor desempeño de la producción.
- Adecuado para aplicaciones informáticas generales.
12 nm: Ampliación de las opciones del cliente en colaboración con UMC
Ampliación de nuestra cartera a través de una asociación innovadora:
- UMC e Intel Foundry están colaborando en el desarrollo de una plataforma tecnológica de 12 nm, que reúne la experiencia de FinFET de Intel con la lógica y la experiencia de modo mixto y RF de UMC,
- Competitivo para la industria de 12 nm.3
- ofrece al cliente más opciones en sus decisiones de abastecimiento con acceso a una cadena de suministro más resistente y diversificada geográficamente,
- conveniente para mercados de alto crecimiento, como las aplicaciones móviles, de conectividad inalámbrica y de redes.
Intel 16: la puerta de enlace ideal para FinFET
Ventajas de FinFET con flexibilidad de planar:
- Desempeño de un nodo de clase de 16 nm con menos máscaras y reglas de diseño de back-end más simples.
Vista previa ahora: Intel 14A
PowerVia de 2ᵃ Generación combinada con RibbonFET
- Primera UVE de alta apertura numérica (alta AN) de la industria.
- Una alta AN es fundamental para el escalado rentable.
Conozca los otros productos de fundición de nivel internacional
Para ayudarle a crear la próxima generación de chips de silicio, nuestros productos únicos se basan en tecnologías de procesos de avanzada que se complementan con nuestro sólido ecosistema de socios de diseño.
Fabricación mundial
Aproveche el suministro sólido, diverso desde el punto de vista geográfico y en expansión de obleas, ensamblaje y pruebas.
Ecosistema de diseño
Reimagine sus diseños con una combinación única de tecnología Intel® Foundry, IP, EDA y servicios a través del programa de alianza del ecosistema de Intel® Foundry Accelerator.
Portal de Intel® Foundry
Avisos y exenciones de responsabilidad4
Información sobre productos y desempeño
Una tecnología de plataforma FinFET avanzada de Intel 3 para computación de alto desempeño y aplicaciones de productos del sistema integrado en chip, presentada como parte del Simposio VLSI 2024.
Según las especificaciones de diseño del nodo.
Esta página web contiene declaraciones de cara al futuro acerca de las expectativas o los planes futuros de Intel, incluso con respecto a la tecnología y los productos futuros, como también la disponibilidad y los beneficios previstos de dicha tecnología y productos. Estas declaraciones se basan en las expectativas actuales e implican muchos riesgos e incertidumbres que podrían generar que los resultados reales difieran considerablemente con aquellas declaraciones expresadas o implícitas. Para obtener más información sobre los factores que podrían causar que los resultados reales difieran considerablemente, consulte nuestros informes de ingresos y presentaciones ante la Comisión de Bolsa y Valores de EE. UU. (SEC, por sus siglas en inglés) más recientes en www.intc.com.