Con High NA EUV, Intel Foundry abre un nuevo horizonte en la fabricación de chips

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Novedades: Intel Foundry anunció un hito clave en la fabricación avanzada de semiconductores con el ensamblaje completado del primer escáner de litografía High NA EUV comercial de la industria, ubicado en el sitio de I+D de la empresa en Hillsboro, Oregón. La herramienta TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV de Intel, fabricada por el líder en litografía ASML, está pasando por pasos de calibración en preparación para la producción del futuro mapa de procesos de la empresa. La nueva herramienta tiene la capacidad de mejorar drásticamente la resolución y el escalado de características para los procesadores de próxima generación al cambiar el diseño óptico para proyectar imágenes impresas en una oblea de silicio.

Por qué es importante: Las herramientas de High NA EUV jugarán un papel crítico en el desarrollo de chips avanzados y en la producción de procesadores de próxima generación. Intel Foundry, como pionero en High NA EUV en la industria, podrá ofrecer una precisión y escalabilidad sin precedentes en la fabricación de chips, lo que permitirá a la empresa desarrollar chips con las características y capacidades más innovadoras, esenciales para impulsar avances en IA y otras tecnologías emergentes.

ASML anunció recientemente que ha impreso por primera vez líneas densas de 10 nanómetros (nm) en el laboratorio de High NA en la sede de la empresa en Veldhoven, Países Bajos. Estas son las mejores líneas jamás impresas, estableciendo una resolución récord mundial para un escáner de litografía EUV. Esta demostración valida el innovador diseño óptico High NA EUV del socio de ASML, Zeiss.

Se imprimieron imágenes revolucionarias después de que la óptica, los sensores y las etapas de la herramienta completaran la calibración gruesa, un paso previo para funcionar a plena especificación. La capacidad de ASML para imprimir líneas densas de 10 nm con un sistema de litografía óptica de campo completo es un paso clave para preparar la herramienta High NA EUV para su uso comercial.

Cómo funciona: Cuando se combina con otras capacidades líderes en tecnología de procesos de Intel Foundry, se espera que High NA EUV pueda imprimir características hasta 1.7 veces más pequeñas que las herramientas EUV existentes. Esto permitirá un escalado de características 2D, lo que resultará en una densidad de hasta 2.9 veces mayor. La compañía sigue liderando el camino hacia patrones cada vez más pequeños y densos que impulsan la Ley de Moore en toda la industria de semiconductores.

Comparado con EUV de 0.33 NA, High NA EUV (o EUV de 0.55 NA) puede ofrecer un contraste de imagen más alto para características similares, lo que permite menos luz por exposición, reduciendo así el tiempo necesario para imprimir cada capa y aumentando la producción de obleas.

Intel espera utilizar tanto EUV de 0.33 NA como EUV de 0.55 NA junto con otros procesos de litografía en el desarrollo y fabricación de chips avanzados, comenzando con puntos de prueba de productos en Intel 18A en 2025 y continuando en la producción de Intel 14A. El enfoque de Intel optimizará la tecnología avanzada de procesos en cuanto a costo y desempeño.

Acerca del rol de Intel: Durante décadas, Intel ha colaborado con ASML para impulsar la evolución de la litografía desde la litografía de inmersión de 193 nm hasta EUV, y ahora hasta High NA EUV. El resultado es la TWINSCAN EXE:5000, una de las herramientas de fabricación más avanzadas. La adopción de la litografía High NA EUV sitúa a la empresa a la vanguardia del escalado de la Ley de Moore, llevando a la empresa bien hacia la Era del Ångström.

El sistema TWINSCAN EXE:5000 fue transportado a Oregon en más de 250 cajas dentro de 43 contenedores de carga. Estos fueron cargados en múltiples aviones de carga que aterrizaron en Seattle. Luego fueron transferidos en 20 camiones para el viaje a Oregon. El peso total de cada nuevo sistema es de más de 150 toneladas. (Consulte la infografía/hoja informativa para obtener más información).

Intel anunció sus planes de adoptar High NA EUV en 2021, y en 2022. junto a ASML, anunciaron su colaboración continua para impulsar esta tecnología avanzada. La empresa planea adquirir el sistema de próxima generación TWINSCAN EXE:5200B, con una productividad de más de 200 obleas por hora, lo que convierte a la compañía en ser pionera en la industria en este sistema también.

Más información sobre High NA EUV: La litografía High NA EUV es un paso evolutivo más allá de la litografía EUV, que utiliza una longitud de onda de luz (13.5nm) que no ocurre naturalmente en la Tierra. La luz se crea mediante un potente láser que golpea una gota de estaño calentada a una temperatura de casi 220,000 grados Celsius, casi 40 veces más caliente que la temperatura superficial promedio del sol. Esta luz se refleja en una máscara que contiene una plantilla del patrón de circuito deseado, y luego a través de un sistema óptico construido con los espejos más precisos jamás fabricados.

La Apertura Numérica (NA) es una medida de la capacidad para recoger y enfocar la luz. Al cambiar el diseño de la óptica utilizada para proyectar un patrón en una oblea, la tecnología High NA EUV permite un avance significativo en la resolución y el tamaño del transistor. La capacidad de crear transistores en estas dimensiones más pequeñas también requiere nuevas estructuras de transistores y mejoras en otros pasos del proceso que Intel está desarrollando en paralelo a la integración del primer sistema High NA EUV.

Acerca del sitio de investigación y desarrollo de Intel Foundry en Oregon: Oregon está en el centro de la investigación y el desarrollo de tecnología de procesos de la copañía. Para dar paso a esta última generación de herramientas de litografía, Intel abrió Mod 3 en 2022, una inversión de más de $ 3 mil millones en la expansión de su fábrica D1X en Oregon, agregando más de 25.000 metros cuadrados de espacio para salas limpias.

La traducción de la investigación en productos fabricables, de vanguardia y del mundo real es donde Intel se ha destacado durante más de 50 años. Invertir en I+D y en herramientas como High NA EUV ayudará a ampliar la capacidad de fabricar chips de manera nacional y revitalizará la I+D basada en Estados Unidos para cumplir con los objetivos económicos y de seguridad nacional. La expansión de la I+D y el uso de las últimas herramientas de litografía en Oregon también ayudarán a crear nuevos empleos y atraer el mejor talento al Noroeste. La empresa está preparada para ayudar a acelerar la próxima generación de tecnología y fabricación de semiconductores en Estados Unidos hoy y en el futuro.

Más contexto: High NA EUV en Intel (kit de prensa)