Asistencia

Memoria de sistema para la Desktop Board Intel® D915GUX


Última revisión: 19-Sep-2017
ID del artículo: 000007124

Características de la memoria de sistema
La placa tiene cuatro zócalos DIMM y es compatible con las funciones siguientes de memoria:

  • 1,8 v (únicamente) DDR2 SDRAM DIMM con contactos revestidos de oro
  • DIMM sin memoria intermedia, una cara o dos caras con la restricción siguiente: con x16 organización no se admiten los DIMMs de dos caras
  • 4 GB de memoria máxima total de sistema
  • Memoria total del sistema mínima: 128 MB
  • No ECC DIMM
  • Detección de presencia serie
  • DDR2 de 533 MHz o los DIMM de SDRAM DDR2 de 400 MHz
Notas
  • Comienza por la eliminación de la PCI Express video x16 tarjeta antes de instalar o actualizar la memoria a fin de evitar la interferencia con el mecanismo de retención de memoria.
  • Para que sea totalmente compatible con las especificaciones de memoria DDR SDRAM aplicable, la placa debe utilizar DIMM que admiten la estructura de datos de detección de presencia serie (SPD). Esto permite que el BIOS lea los datos SPD y programe el chipset para configurar con precisión la configuración de memoria para un rendimiento óptimo. Si se instala memoria que no es SPD, el BIOS intenta configurar correctamente las opciones de memoria. Rendimiento y la fiabilidad pueden verse afectados o los DIMM podrían funcionar por debajo de la frecuencia designada.

Configuraciones DIMM compatibles

Capacidad de DIMMConfiguraciónDensidad de SDRAMOrganización SDRAM, lado frontal/lado posteriorNúmero de dispositivos SDRAM
128 MBSS256 Mbit16 M x 16/empty4
256 MBSS256 Mbit32 M x 8/vacía8
256 MBSS512 Mbit32 M x 16/empty4
512 MBDS256 Mbit32 M x 8/32 M x 816
512 MBSS512 Mbit64 M x 8/vacía8
512 MBSS1 Gbit64 M x 16/empty4
1024 MBDS512 Mbit64 M x 8/64 M x 816
1024 MBSS1 Gbit128 M x 8/vacía8
2048 MBDS1 Gbit128 M x 8/128 M x 816
NotaEn la segunda columna, DS son las siglas de módulos de memoria de dos caras (dos filas de DDR SDRAM) y SS son las siglas de módulos de memoria de una cara (una fila de SDRAM DDR).

Memorias probadas

De terceros probada memoria *
Memoria probada de terceros se efectúan a solicitud de los proveedores de memoria y se llevan a cabo en una institución de memoria independiente que no es una parte de Intel. Memoria se llevan a cabo por equipo memoria Test Labs * (CMTL).

Memoria probada automática del proveedor
Intel ofrece a los proveedores de memoria que participan en este programa un plan de prueba de memoria común que pueden utilizar como verificación básica de la estabilidad de la memoria. Las memorias mencionadas completado pruebas por el proveedor de memoria o por Intel a través de dicho plan de prueba. Dichos números de pieza podrían no estar disponibles a lo largo del ciclo de vida del producto.

Proveedor de módulos
Número de pieza del módulo
Tamaño de módulo
(MB)
Velocidad del módulo
(MHz)
Latencia
CL-tRCD-tRP
ECC o
¿Sin ECC?
DIMM
Organización
Módulo
Código de fecha
Componente utilizado
Número de pieza componente
Crucial
CT16HTF6464AG53EB2
512MB5334-4-4No ECCDSx80405Micron *
MT47H32M8FP-37E
Crucial
CT8HTF3264AG53EB3
256MB5334-4-4No ECCSSx80405Micron
MT47H32M8FP-37E
Crucial
CT4HTF1664AG53EB1
128MB5334-4-4No ECCSSx160416Micron
MT47H16M16FG-37E
Hynix
HYMP512U648-C4
1GB5334-4-4No ECCDSx80424Hynix
HY5PS12821F-C4
Hynix
HYMP564U648-C4
512MB5334-4-4No ECCSSx80424Hynix
HY5PS12821F-C4
Hynix
HYMP264U648-C4
512MB5334-4-4No ECCDSx80423Hynix
HY5PS56821F-C4
Hynix
HYMP232U648-C4
256MB5334-4-4No ECCSSx80418Hynix
HY5PS56821F-C4
Hynix
HYMP532U646-C4
256MB5334-4-4No ECCSSx160426Hynix
HY5PS121621F-C4
Hynix
HYMP216U646-C4
128MB5334-4-4No ECCSSx160413Hynix
HY5PS561621F-C4
Infineon Tecnologías
HYS64T128020HU-3.7-A
1GB5334-4-4No ECCDSx80434Infineon Tecnologías
HYB18T512800AF-3.7
Infineon Tecnologías
HYS64T64000HU-3.7-A
512MB5334-4-4No ECCSSx80446Infineon Tecnologías
HYB18T512800AF-3.7
Infineon Tecnologías
HYS64T32001HU-3.7-A
256MB5334-4-4No ECCSSx80436Infineon Tecnologías
HYB18T256800AF-3.7
Infineon Tecnologías
HYS64T32000HU-3.7-A
256MB5334-4-4No ECCSSx160436Infineon Tecnologías
HYB18T512160AF-3.7
Kingston Technology
KVR533D2N4/512
512MB5334-4-4No ECCSSx80000Elpida *
E5108AB-5C-E
Micron
MT16HTF12864AY-53ED4
1024MB5334-4-4No ECCDSx80611Micron
MT47H64M8B6
Micron
MT18HTF12872AY-53EB1
1024MB5334-4-4ECCDSx80511Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT16HTF12864AY-53EB1
1024MB5334-4-4No ECCDSx80511Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT8VDDT6464AY-53ED7
512MB5334-4-4No ECCSSx80612Micron
MT47H64M8B6
Micron
MT16HTF6464AG-53EB2
512MB5334-4-4No ECCDSx80405Micron
MT47H32M8FP-37E
Micron
MT16HTF6464AY-53EB2
512MB5334-4-4No ECCDSx80506Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF6464AY-53EB3
512MB5334-4-4No ECCSSx80504Micron
MT47H64M8CB-37E
Micron
MT8HTF6464AY-53EB8
512MB5334-4-4No ECCSSx80519Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT4HTF3264AY-53ED3
256MB5334-4-4No ECCSSx160605Micron
MT47H32M16BN
Micron
MT4HTF3264AY-53EB1
256MB5334-4-4No ECCSSx160524Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT4HTF3264AY-53EB2
256MB5334-4-4No ECCSSx160527Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT8HTF3264AY-53EB5
256MB5334-4-4No ECCSSx80524Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF3264AG-53EB3
256MB5334-4-4No ECCSSx80405Micron
MT47H32M8FP-37E
Micron
MT8HTF3264AY-53EB3
256MB5334-4-4No ECCSSx80422Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF1664AG-53EB1
128MB5334-4-4No ECCSSx160416Micron
MT47H16M16FG-37E
Micron
MT4HTF1664AY-53EB1
128MB5334-4-4No ECCSSx160434Micron
MT47H16M16BG
Samsung
M378T2953BG0-CD5
1024MB5334-4-4No ECCDSx80414Samsung
K4T51083QB-GCD5
Samsung
M378T6553BG0-CD5
512MB5334-4-4No ECCSSx80412Samsung
K4T51083QB-GCD5
Crucial
CT16HTF6464AG40EB2
512MB4003-3-3No ECCDSx80402Micron
MT47H32M8FP-5E
Crucial
CT8HTF3264AG40EB3
256MB4003-3-3No ECCSSx80352Micron
MT47H32M8FP-5E
Crucial
CT4HTF1664AG40EB1
128MB4003-3-3No ECCSSx160352Micron
MT47H16M16FG 5E
Hynix
HYMP264U648-E3
512MB4003-3-3No ECCDSx80421Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP232U648-E3
256MB4003-3-3No ECCSSx80421Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP216U646-E3
128MB4003-3-3No ECCSSx160418Hynix
HY5PS561621F-E3
Infineon Tecnologías
5-HYS64T128020HU-A
1GB4003-3-3No ECCDSx80437Infineon Tecnologías
HYB18T512800AF-5
Infineon Tecnologías
5-HYS64T64000HU-A
512MB4003-3-3No ECCSSx80436Infineon Tecnologías
HYB18T512800AF-5
Infineon Tecnologías
HYS64T32001HU-5-A
256MB4003-3-3No ECCSSx80438Infineon Tecnologías
HYB18T256800AF-5
Infineon Tecnologías
5-HYS64T32000HU-A
256MB4003-3-3No ECCSSx160434Infineon Tecnologías
HYB18T512160AF-5
Micron
MT16HTF12864AY-40EB1
1024MB4004-4-4No ECCDSx80504Micron
MT47H64M8CB-5E
Micron
MT8HTF6464AY-40EB8
512MB4003-3-3No ECCSSx80523Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT16HTF6464AG-40EB2
512MB4003-3-3No ECCDSx80402Micron
MT47H32M8FP-5E
Micron
MT16HTF6464AY-40EB2
512MB4003-3-3No ECCDSx80507Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF6464AY-40EB3
512MB4003-3-3No ECCSSx80504Micron
MT47H64M8CB-5E
Micron
MT8HTF6464AY-40EB9
512MB4003-3-3No ECCSSx80507Micron
MT47H64M8CB-5E
Micron
MT8HTF3264AY-40EB3
256MB4003-3-3No ECCSSx80528Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF3264AY-40EB2
256MB4003-3-3No ECCSSx160523Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT4HTF3264AY-40EB1
256MB4003-3-3No ECCSSx160521Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT8HTF3264AG-40EB3
256MB4003-3-3No ECCSSx80352Micron
MT47H32M8FP-5E
Micron
MT8HTF3264AY-40EB5
256MB4003-3-3No ECCSSx80524Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF1664AG-40EB1
128MB4003-3-3No ECCSSx160352Micron
MT47H16M16FG 5E
Micron
MT4HTF1664AY-40EB1
128MB4003-3-3No ECCSSx160434Micron
MT47H16M16BG
Samsung
M368L2923DUN-CCC
1 GB4003-3-3No ECCDSx80540Samsung
K4H510838D-UCCC
Samsung
M368L6523DUD-CCC
512MB4003-3-3No ECCSSx80549Samsung
K4H510838D-UCCC
Samsung
M378T6453FG0-CCC
512MB4003-3-3No ECCDSx80414Samsung
K4T56083QF-GCCC
Samsung
M378T3253FG0-CCC
256MB4003-3-3No ECCSSx80414Samsung
K4T56083QF-GCC
Super Talent Electronics
T533UB1GB
1024MB5334-4-4No ECCDSx80515Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T400UB1GA
1024MB4003-3-3No ECCDSx80512INFINEON
HYB18T512800AF5
Super Talent Electronics
T533UA512B
512MB5334-4-4No ECCSSx80514Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T400UA512A
512MB4003-3-3No ECCSSx80514Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T400UA256A
256MB4003-3-3No ECCSSx80448Samsung
K4T56083QF-GCCC
Micron
MT8VDDT6464AG 335D 1
512MB3332.5-3-3No ECCSSx80450Micron
MT46V64M8TG 5E

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