Asistencia

Memoria de sistema para la Desktop Board Intel® D915GAV


Última revisión: 25-Apr-2017
ID del artículo: 000006783

Características de la memoria de sistema
Las placas tienen cuatro zócalos DIMM y admiten las características siguientes de memoria:

  • 2.6V (solo) DDR SDRAM DIMM con contactos revestidos de oro
  • DIMM sin memoria intermedia de una cara o dos caras, con la restricción siguiente: con x16 organización no se admiten los DIMMs de dos caras
  • 4 GB de memoria máxima total de sistema
  • Memoria total del sistema mínima: 128 MB
  • No ECC DIMM
  • Detección de presencia serie
  • DDR de 400 MHz y DDR SDRAM DIMM de 333 MHz
Notas
  • Extraiga la tarjeta de vídeo PCI Express * x16 antes de instalar o actualizar la memoria a fin de evitar la interferencia con el mecanismo de retención de memoria.
  • Para que sea totalmente compatible con todas las especificaciones de memoria DDR SDRAM aplicable, la placa debe utilizar DIMM que admiten la estructura de datos de detección de presencia serie (SPD). Esto permite que el BIOS lea los datos SPD y programe el chipset para configurar con precisión la configuración de memoria para un rendimiento óptimo. Si se instala memoria que no es SPD, el BIOS intenta configurar correctamente las opciones de memoria, pero el rendimiento y la fiabilidad pueden verse afectados o los DIMM podrían funcionar por debajo de la frecuencia designada.
 

Frecuencia de bus de sistema y velocidad de memoria compatibles

Para utilizar este tipo de DIMM:El frecuencia del Bus de sistema de procesador debe ser:
DDR400800 MHz
DDR333(Note)800 ó 533 MHz
 

 

 

NotaCuando se utiliza un procesador de frecuencia de Bus de sistema de 800 MHz, memoria DDR 333 se sincroniza a 320 MHz. Esto minimiza las latencias del sistema para optimizar el rendimiento del sistema.
 

Configuraciones de memoria compatibles

Capacidad de DIMMConfiguraciónDensidad de SDRAMOrganización SDRAM
Lado frontal-lado posterior
Número de
Dispositivos SDRAM
128 MBSS256 Mbit16 M x 16/empty4
256 MBSS256 Mbit32 M x 8/vacía8
256 MBSS512 Mbit32 M x 16/empty4
512 MBDS256 Mbit32 M x 8/32 M x 816
512 MBSS512 Mbit64 M x 8/vacía8
512 MBSS1 Gbit64 M x 16/empty4
1024 MBDS512 Mbit64 M x 8/64 M x 816
1024 MBSS1 Gbit128 M x 8/vacía8
2048 MBDS1 Gbit128 M x 8/128 M x 816
 

 

 

NotaEn la segunda columna, "DS" significa módulos de memoria de dos caras (dos filas de SDRAM) y "SS" significa módulos de memoria de una cara (una fila de SDRAM).
 

Memorias probadas

Memoria probada de terceros*
Memoria probada de terceros se efectúan a solicitud de los proveedores de memoria y se llevan a cabo en una institución de memoria independiente que no es una parte de Intel. Memoria probada es por equipo memoria Test Labs * (CMTL).

Proveedor de memoria probada por
Intel ofrece a los proveedores de memoria que participan en este programa un plan de prueba de memoria común que pueden utilizar como verificación básica de la estabilidad de la memoria. Las memorias mencionadas aquí se llevan a cabo por el proveedor de memoria o por Intel a través de dicho plan de prueba. Dichos números de pieza podrían no estar disponibles a lo largo del ciclo de vida del producto.

La tabla a continuación incluye partes que han aprobado las pruebas efectuadas por el programa de comprobación automática de Intel para Intel® Desktop Board D915GAV.

Proveedor de módulos
Número de pieza del módulo
Tamaño de módulo
(MB)
Velocidad del módulo
(MHz)
Latencia
CL-tRCD-tRP
ECC o
¿Sin ECC?
DIMM
Realizar-zación
Módulo
Código de fecha
Componente utilizado
Número de pieza componente
A-DATOS *
MDOEL6F3G31Y0D1E0Z
256 MB4003-4-4No ECCSSx80527Elpida *
DDR-DD2508ARTA
DATOS
MDOHY6F3G3X10BZE0Z
256 MB4003-3-3No ECCSSx8510AHynix *
DDR-HY5DU56822DT-D43
Tecnologías de Infineon *
HYS64D128320HU-5-B
1 GB4003-3-3No ECCDSx80445Infineon Tecnologías
HYB25D512800BE-5
Infineon Tecnologías
HYS64D64320HU-5-C
512 MB4003-3-3No ECCDSx80436Infineon Tecnologías
HYB25D512800CE-5
Infineon Tecnologías
HYS64D32300HU-5-C
256 MB4003-3-3No ECCSSx80432Infineon Tecnologías
HYB25D512800CE-5
Kingston Technology *
KVR400X64C3A / 1G
1 GB4003-3-3No ECCDSx80518Infineon
HYB25D512800BE-5
Kingston Technology
KVR400X64C3A / 1G
1 GB4003-3-3No ECCDSx8449Samsung *
K4H510838B-TCCC
Kingston Technology
KVR400X64C3A/512
512 MB4003-3-3No ECCSSx80518Micron *
MT46V64M8-5B
Kingston Technology
KVR400X64C3A/512
512 MB4003-3-3No ECCDSx80000Samsung *
K4H560838F-TCCC
Kingston Technology
KVR400X64C3A/256
256 MB4003-3-3No ECCSSx80000Promos *
V58C2256804SCT5B
Micron *
MT16VDDT12864AY-40BD3
1024 MB4003-3-3No ECCDSx80528Micron
MT46V64M8P
Micron
MT16VDDF6464AY-40BG1
512 MB4003-3-3No ECCDSx80540Micron
MT46V32M8BG
Micron
MT8VDDT6464AG-40BD1
512 MB4003-3-3No ECCSSx80534Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG-40BG6
512 MB4003-3-3No ECCDSx80536Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT16VDDT6464AY-40BG6
512 MB4003-3-3No ECCDSx80534Micron
MT46V32M8P
Micron
MT16VDDT6464AG-40BG4
512 MB4003-3-3No ECCDSx80508Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG-40BG5
512 MB4003-3-3No ECCDSx80535Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG-40BD3
512 MB4003-3-3No ECCSSx80523Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AY-40BD3
512 MB4003-3-3No ECCSSx80534Micron
MT46V64M8P
Micron
MT8VDDT3264AG-40BG6
256 MB4003-3-3No ECCSSx80536Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG-40BG5
256 MB4003-3-3No ECCSSx80533Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDF3264AY-40BG1
256 MB4003-3-3No ECCSSx80540Micron
MT46V32M8BG
Samsung *
M368L2923DUN-CCC
1 GB4003-3-3No ECCDSx80540Samsung
K4H510838D-UCCC
Samsung
M368L2923CUN-CCC
1 GB4003-3-3No ECCDSx80509Samsung
K4H510838C-UCCC
Samsung
M368L6523DUD-CCC
512 MB4003-3-3No ECCSSx80549Samsung
K4H510838D-UCCC
Samsung
M368L6423ETN-CCC
512 MB4003-3-3No ECCDSx80509Samsung
K4H560838E-TCCC
Samsung
M368L6423FTN-CCC
512 MB4003-3-3No ECCDSx80506Samsung
K4H560838F-TCCC
Samsung
M368L6523CUS-CCC
512 MB4003-3-3No ECCSSx80503Samsung
K4H510838C-UCCC
Samsung
M368L3223FTN-CCC
256 MB4003-3-3No ECCSSx80506Samsung
K4H560838F-TCCC
Samsung
M368L3324CUS-CCC
256 MB4003-3-3No ECCSSx160506Samsung
K4H511638C-UCCC
Samsung
M368L3223ETN-CCC
256 MB4003-3-3No ECCSSx80506Samsung
K4H560838E-TCCC
Infineon Tecnologías
HYS64D128320HU-6-B
1 GB3332.5-3-3No ECCDSx80434Infineon Tecnologías
HYB25D512800BE-6
Infineon Tecnologías
HYS64D64320HU-6-C
512 MB3332.5-3-3No ECCDSx80436Infineon Tecnologías
HYB25D512800CE-6
Infineon Tecnologías
HYS64D32300HU-6-C
256 MB3332.5-3-3No ECCSSx80436Infineon Tecnologías
HYB25D512800CE-6
Micron
MT16VDDT12864AG 335D 1
1024 MB3332.5-3-3No ECCDSx80537Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG - 335D 3
512 MB3332.5-3-3No ECCSSx80513Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG - 335D 2
512 MB3332.5-3-3No ECCSSx80505Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG 335D 1
512 MB3332.5-3-3No ECCSSx80450Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG - 335G 4
512 MB3332.5-3-3No ECCDSx80408Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG - 33G 4
256 MB3332.5-3-3No ECCSSx80540Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG - 335G 4
256 MB3332.5-3-3No ECCSSx80450Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG - 335G 6
256 MB3332.5-3-3No ECCSSx80513Micron
MT46V32M8TG
Samsung
M368L5623MTN-CB3
2 GB3332.5-3-3No ECCDSx80508Samsung
K4H1G0838M-TCB3

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