Asistencia

Memoria de sistema para la Desktop Board Intel® DP55WB


Última revisión: 26-Apr-2017
ID del artículo: 000006516

Características de la memoria
La Desktop Board es compatible con la memoria siguiente:

  • Cuatro conectores de módulo de memoria de línea (DIMM) de 3 de velocidad de datos doble (DDR3) SDRAM doble de 240 pines con contactos revestidos de oro organizadas en dos canales
  • 1066/1333 MHz DDR3 interfaz SDRAM
  • Asistencia para el procesamiento simultáneo de memoria único y doble canal
  • Memoria DDR3 sin ECC
  • Memoria sólo de Serial Presence Detect (SPD)
  • Hasta 16 GB de memoria máxima total de sistema
  • DIMM sin memoria intermedia, no registrados de uno o dos caras con un voltaje nominal de 1.65V o menos
NotaUso de un DIMM con un voltaje nominal superior a 1,65 V puede dañar el procesador.
 

Memoria DDR3 1600 o superior asistencia técnica en esta motherboard requiere XMP compatible habilitada la memoria o conocimientos avanzados sobre ajuste manual de la memoria y de BIOS. Los resultados individuales pueden variar.

sistemas operativos de 32 bits están limitados a un máximo de 4 GB de memoria. Estos sistemas operativos informe menos de 4 GB debido a la memoria utilizada por las tarjetas gráficas adicionales y otros recursos del sistema.

Para que sea totalmente compatible con las especificaciones de memoria Intel® SDRAM aplicable, la placa debe utilizar DIMM que admitan la estructura de datos de detección de presencia serie (SPD). Si los módulos de memoria no admiten SPD, recibirá una notificación al respecto en la pantalla durante el encendido hasta. El BIOS intentará configurar el controlador de memoria para la operación normal.

Configuraciones DIMM compatibles

Capacidad de DIMMConfiguraciónDensidad de SDRAMOrganización SDRAM, lado frontal/lado posteriorNúmero de dispositivos SDRAM
512 MBSS 11 Gbit64 M x 16/empty4
1024 MBSS 11 Gbit128 M x 8/vacía8
2048 MBSS 12 Gbit256 M x 8/vacía8
4096 MBDS 22 Gbit256 M x 8/256 M x 816
 

1 "SS" significa módulos de memoria de una cara (una fila de SDRAM).
2 "DS" significa módulos de memoria de dos caras (dos filas de SDRAM).


Memorias probadas

Equipo memoria Test Labs * (CMTL) pruebas de memoria de terceros para la compatibilidad con placas Intel como solicitada por fabricantes de la memoria. Consulte la CMTL probadas lista de memorias para el DP55WB Intel® Desktop Board.

La tabla a continuación incluye partes que han aprobado las pruebas durante el desarrollo. Dichos números de pieza podrían no estar disponibles a lo largo del ciclo de vida del producto.

Número de pieza de módulo/proveedor de móduloTamaño de móduloVelocidad del módulo (MHz)Latencia CL-tRCD-tRP¿ECC o sin ECC?Organización de DIMMCódigo de fecha de móduloNúmero de pieza componente utiliza/Comp
Hynix * HMT125U6AFP8C H9 NO-AA2 GB13339-9-9No ECC2R x 80918Hynix H5TQ1G83AFP-H9C-914A
Kingston * KVR1333D3N9 / 1G; 9905402-A00LF-0151 GB13339-9-9No ECC1R x 80823Elpida * J1108BASE-DJ-E
Kingston KVR1333D3N9 / 2G; 9905403-011.A00LF2 GB13339-9-9No ECC2R x 80823Elpida J1108BASE-DJ-E
Kingston KVR1333D3N9 / 4G; 9905403-011.A02LF2 GB13339-9-9No ECC2R x 80914Elpida J1108BABG-DJ-E
Kingston KVR1333D3N9K2 / 2G; 9905402-A02LF-0151 GB13339-9-9No ECC1R x 80913Elpida J1108BABG-DJ-E
Micron * CT12864BA1339.8FF1 GB13339-9-9No ECC1R x 80912Micron MT41J128M8JP-15E:F
Micron MT8JTF12864AZ-1G1F11 GB10667-7-7No ECC1R x 80909Micron MT41J128M8JP-187E:F
Micron MT8JTF12864AZ-1G4F11 GB13339-9-9No ECC1R x 8914Micron MT41J128M8JP-15E:F
Micron MT8JTF12864AZ-1G4F11 GB13339-9-9No ECC1R x 80912Micron MT41J128M8JP-15E:F
Micron CT25664BA1067.16FF2 GB10667-7-7No ECC2R x 80913Micron MT41J128M8JP-187E:F
Micron CT25664BA1339.16FF2 GB13339-9-9No ECC2R x 80914Micron MT41J128M8JP-15E:F
Micron MT16JTF25664AY-1G4D12 GB13339-9-9No ECC2R x 8850Micron MT41J128M8HX-15E:D
Micron MT16JTF25664AY-1G4F12 GB10667-7-7No ECC2R x 8850Micron MT41J128M8HX-187E:D
Micron MT16JTF25664AY-1G4F12 GB10667-7-7No ECC2R x 8911Micron MT41J128M8JP-187E:F
Micron MT16JTF25664AZ-1G1F12 GB10667-7-7No ECC2R x 80913Micron MT41J128M8JP-187E:F
Micron MT16JTF25664AZ-1G4F12 GB13339-9-9No ECC2R x 8914Micron MT41J128M8JP-15E:F
Micron MT16JTF25664AZ-1G4F12 GB13339-9-9No ECC2R x 80919Micron MT41J128M8JP-15E:F
Micron MT16JTF25664AZ-1G4F12 GB13339-9-9No ECC2R x 80914Micron MT41J128M8JP-15E:F
Samsung * M378B2873DZ1-CH81 GB10667-7-7No ECC1R x 80825Samsung K4B1G0846D
Samsung M378B2873DZ1-CH81 GB10667-7-7No ECC1R x 80831Samsung K4B1G0846D
Samsung M378B2873DZ1-CH82 GB10668-8-8No ECC2R x 80825Samsung K4B1G0846D
Samsung M378B2873DZ1 de CH91 GB13339-9-9No ECC1R x 80830Samsung K4B1G0846D
Samsung M378B5673DZ1 de CH92 GB13339-9-9No ECC2R x 80838Samsung K4B1G0846D
Samsung M378B5673DZ1 de CH92 GB13339-9-9No ECC2R x 80828Samsung K4B1G0846D
 

- Esta información es una combinación de una traducción hecha por humanos y de la traducción automática por computadora del contenido original para su conveniencia. Este contenido se ofrece únicamente como información general y no debe ser considerada como completa o precisa.

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