Elementos fundamentales

Estado
Launched
Fecha de lanzamiento
2012
Litografía
28 nm

Recursos

Elementos lógicos (LE)
360000
Módulos lógicos adaptables (ALM)
135840
Registros del módulo lógico adaptativo (ALM)
543360
Bucles con bloqueo de fase de tejido y E/S (PPL)
20
Memoria integrada máxima
23.385 Mb
Bloques de procesamiento de señal digital (DSP)
1044
Formato de procesamiento de señal digital (DSP)
Variable Precision
Controladores de memoria física
아니요
Interfaces de memoria externa (EMIF)
DDR II+, DDR2, DDR3, LPDDR, LPDDR2, QDR II, QDR II+, RLDRAM II, RLDRAM 3

Especificaciones de E/S

Recuento máximo de E/S de usuarios
414
Compatibilidad con normas de E/S
3.0 V to 3.3 V LVTTL, 1.2 V to 3.3 V LVCMOS, PCI, PCI-X, SSTL, HSTL, HSUL, Differential SSTL, Differential HSTL, Differential HSUL, LVDS, Mini-LVDS, RSDS, LVPECL
Pares LVDS máximos
207
Transceptores máximos de no regreso a cero (NRZ)
24
Velocidad máxima de datos de no regreso a cero (NRZ)
12.5 Gbps
Dirección IP física de protocolo de transceptor
PCIe Gen2, PCIe Gen3

Tecnologías avanzadas

Seguridad de Bitstream FPGA
Convertidor de análogo a digital
아니요

Especificaciones de paquete

Opciones de embalaje
H780, F1152

Información complementaria