Unidad de estado sólido Intel® DC serie P4500

(1.0 TB, PCIe 3.1 x4 de 2.5", 3D1, TLC)

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Especificaciones técnicas

Especificaciones técnicas

Elementos fundamentales

Capacidad
1 TB
Estado
Launched
Fecha de lanzamiento
Q2'17
Tipo de litografía
3D NAND TLC

Desempeño

Lectura secuencial (máximo)
3200 MB/s
Escritura secuencial (máximo)
600 MB/s
Lectura aleatoria (alcance 100%)
279500 IOPS
Escritura aleatoria (alcance 100%)
30500 IOPS
Latencia - Lectura
85 µs
Latencia - Escritura
20 µs
Alimentación - Activa
Sequential Avg. 11W (Write), 9.6 W (Read)
Alimentación - Inactiva
<5 W

Confiabilidad

Vibración - En funcionamiento
2.17 GRMS
Vibración - No en funcionamiento
3.13 GRMS
Choque (en funcionamiento o no en funcionamiento)
1000 G/0.5 msec
Rango de temperatura de funcionamiento
0°C to 35°C
Clasificación de resistencia (nº de escrituras durante la vida útil)
1.38 PBW
Tiempo promedio entre fallos (MTBF)
2 million hours
Tasa de errores de bit incorregibles (UBER)
<1 sector per 10^17 bits read
Periodo de garantía
5 yrs

Información complementaria

Especificaciones de paquete

Peso
131g
Formato
2.5" 15mm
Interfaz
PCIe NVMe 3.1 x4

Tecnologías avanzadas

Mejoras en la protección contra pérdida de datos y el consumo de energía
Sí
Encriptación por hardware
AES 256 bit
High Endurance Technology (HET)
No
Supervisión y registro de temperatura
Sí
Protección de datos de extremo a extremo
Sí
Tecnología Intel® de respuesta inteligente
No
Intel® Remote Secure Erase
No
Tecnología Intel® Rapid Start
No
Evaluación

Evaluación

FeaturesandBenefits

Características y beneficios

Inspirada en la nube. Almacenamiento optimizado.

Las capacidades altamente eficientes permiten realizar más trabajos por servidor para reducir el costo total de propiedad, mientras aumentan la rapidez de las infraestructuras en la nube.

Optimizado para la eficiencia del almacenamiento en la nube

Esta SSD inspirada en la nube está diseñada con un controlador NVMe* completamente nuevo y optimizado para cargas de trabajo intensivas de lectura y también está diseñada para maximizar el uso de CPU. Con DC para Intel SSD serie P4500, los centros de datos pueden aumentar los usuarios, agregar más servicios y realizar más cargas de trabajo por servidor. Ahora puede almacenar más datos y saber más.

Extraordinaria calidad y confiabilidad

Con una calidad y confiabilidad líderes de la industria, puede estar seguro de que sus unidades están disponibles y sus datos están protegidos. La compatibilidad con el cifrado de datos en reposo minimiza las probabilidades de infracciones de datos, mientras la protección de datos de extremo a extremo líder de la industria reduce la posibilidad de errores de datos silenciosos.1

Facilidad de servicio y manejo avanzado

Ya que está diseñada con funciones de administración avanzadas, como NVMe-MI, DC para Intel SSD serie P4500 le permite de manera remota monitorear, administrar y solucionar problemas en más estados del dispositivo, y agilizar los servicios esenciales.

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Información sobre productos y desempeño

Es posible que esta función no esté disponible en todos los sistemas de computación. Verifique con el vendedor del sistema para determinar si su sistema tiene esta característica o revise a las especificaciones de sistema (motherboard, procesador, chipset, fuente de alimentación, disco duro, controlador de gráficos, memoria, BIOS, controladores, monitor de máquina virtual-VMM, software de plataforma o sistema operativo) para ver la compatibilidad de características. La funcionalidad, el desempeño y otros beneficios de esta característica pueden variar según la configuración de sistema.
1

Fuente - Intel. La protección integral se refiere a un conjunto de métodos utilizados para detectar y corregir la integridad de los datos en la ruta de acceso completa, según como se lea o esté escrita, entre el host y el controlador y los medios de SSD. Prueba realizada en la Unidad de estado sólido Intel® DC S3520, la Unidad de estado sólido Intel® DC P3520, la Unidad de estado sólido Intel® DC P3510, la Unidad de estado sólido Intel® DC P4500, Samsung* PM953, Samsung PM1725, Samsung PM961, Samsung PM863, Micron* 7100, Micron 510DC, Micron 9100, HGST* SN100, Seagate* 1200.2, unidades SanDisk* CS ECO. La afirmación se basa en el promedio de los índices de errores en la unidad Intel en comparación con el promedio de los índices de errores en la unidad de la competencia. Se utiliza la radiación por neutrones para determinar los índices de corrupción de los datos silenciosos y como una medición de la eficacia global de la protección integral. Entre las causas de corrupción de datos en un controlador de SSD, se encuentran la radiación ionizante, el ruido de señal, la interferencia y la inestabilidad de SRAM. Después de que una unidad se bloqueara por comparar los datos esperados de la unidad con los reales, se midieron los errores silenciosos según el tiempo de ejecución y el reinicio posterior. El índice anual de corrupción de datos previsto se obtuvo de la división del índice durante las pruebas aceleradas por la aceleración del haz (consulte el estándar JESD89A de JEDEC).