Inspirada para empresas. Desempeño optimizado.

Diseñada para satisfacer los requisitos actuales y cada vez más intensivos de E/S, en una amplia gama de cargas de trabajo mientras mejora la eficiencia de TI.

Construidas con TLC de 96 capas y la tecnología Intel® 3D NAND, la SSD Intel® serie D7-P5500 y la SSD Intel® SSD serie D7-P5600 ofrecen un desempeño y una capacidad optimizados y están diseñadas para mejorar la eficiencia de la TI y la seguridad de los datos. Las SSD Intel® serie D7-P5500 y SSD Intel® serie D7-P5600 poseen un controlador y un firmware para PCIe de 4ª Generación de Intel totalmente nuevos que ofrecen baja latencia, capacidades de gestión mejoradas, escalabilidad y nuevas características de NVMe* críticas para entornos empresariales y de la nube.

Disponibles en el formato U.2 de 15 mm, estas SSD ofrecen 1,92 TB, 3,84 TB y 7,68 TB a 1 unidad de escritura por día (DWPD) y 1,6 TB, 3,2 TB y 6,4 TB a 3 DWPD.

Desbloquee el valor de sus datos almacenados

Las SSD Intel® serie D7-P5500 y D7-P5600 ofrecen, como era de esperarse, un desempeño rápido y alto, y pueden acelerar enormemente todos los vectores de almacenamiento TLC. En comparación con las SSD Intel® de generaciones anteriores, la unidad D7-P5500 con capacidad optimizada ofrece un desempeño secuencial hasta dos veces mayor1 y la unidad D7-P5600 con desempeño optimizado ofrece un desempeño de carga de trabajo mixta aleatoria hasta un 44 % más alto.2 Ambas unidades también ofrecen mejoras en las latencias de cola, entre ellas, una reducción de hasta un 80 % en la calidad de servicio (QoS) de lectura aleatoria de 4 KB para el 99,99999 % (7 9 s) de las transacciones.3

Las mejoras del firmware, como la priorización de las cargas de trabajo del host y la habilitación de actualizaciones sin reiniciar, elevan aún más el desempeño de las aplicaciones.

Características avanzadas para el desempeño de la unidad, la eficiencia de la TI y la seguridad de los datos

Las SSD Intel® serie D7-P5500 y D7-P5600 incluyen numerosas mejoras de firmware diseñadas específicamente para mejorar la eficiencia de la TI y la seguridad de los datos en un mundo cada vez más centrado en los datos.

  • La gestión dinámica del espacio de nombres ofrece la flexibilidad necesaria para permitir un mayor número de usuarios y un despliegue a escala.
  • Funciones de seguridad adicionales como TCG Opal 2.0 y un motor de encriptación AES-XTS de 256 bits incorporado, que son requeridos por algunas plataformas seguras.
  • Monitoreo SMART mejorado, que reporta el estado de salud de la unidad sin interrumpir el flujo de datos de E/S al usar un mecanismo dentro de la banda y un acceso fuera de la banda.
  • Telemetría 2.0 hace posible que una amplia gama de datos almacenados sea accesible e incluye el seguimiento y registro inteligente de errores. Esto aumenta la confiabilidad para encontrar y mitigar los problemas, y es compatible con los ciclos de calificación acelerados, todo ello puede resultar en una mayor eficiencia de TI.
  • La arquitectura optimizada de TRIM actualmente se ejecuta como un proceso en segundo plano, sin interferir en las cargas de trabajo, al mejorar el desempeño y QoS durante los TRIM simultáneos. El proceso TRIM se ha mejorado para las unidades de alta densidad, con una amplificación de escritura reducida que ayuda a las unidades a cumplir su objetivo de ser resistentes.
  • El esquema de protección contra la pérdida de energía inminente (PLI) con autocomprobación incorporada, protege contra la pérdida de datos si la energía del sistema se pierde repentinamente. Junto con el esquema de protección de la ruta de datos de extremo a extremo, las características de PLI también permiten una fácil implementación en centros de datos resistentes en los que no se tolera la corrupción de datos por fallos en el sistema.

Ampliación del liderazgo de la tecnología NAND

La tecnología NAND 3D de 96 capas de Intel ofrece una densidad de área y una retención de datos líderes en la industria, 4 lo que permite a los clientes empresariales adaptar con confianza los arreglos de almacenamiento para satisfacer sus crecientes necesidades. La rápida aprobación de infraestructuras definidas por el software e hiperconvergencia aumenta la necesidad de maximizar la eficiencia, revitalizar el hardware existente y aumentar la agilidad de los servidores, al mismo tiempo que se mantiene la confiabilidad operacional.

Satisfacer la demanda de cargas de trabajo exigentes con uso intensivo de E/S, incluyendo la IA y la analítica, se ha convertido en un elemento central de cualquier estrategia empresarial. Los principales fabricantes de servidores empresariales han respondido adoptando las SSD con PCIe/NVMe* con un rendimiento escalable, baja latencia y una innovación continua.

Características en un vistazo

Modelo SSD Intel® serie D7-P5500 SSD Intel® serie D7-P5600
Capacidad y formato U.2 de 15mm: 1,92 TB, 3,84 TB, 7,68 TB U.2 de 15mm: 1,6 TB, 3,2 TB, 6,4 TB
Interfaz 4 PCIe* 4.0, NVMe* 1.3c 4 PCIe* 4.0, NVMe* 1.3c
Medios Tecnología Intel® 3D NAND, 96 capas, TLC Tecnología Intel® 3D NAND, 96 capas, TLC
Desempeño R/W secuencial de 128 K hasta 7 000/4 300 MB/s R/W secuencial de 128 K hasta 7 000/4 300 MB/s
  R/W aleatorio de 4 KB hasta 1 M/ 130 K IOPS R/W aleatorio de 4 KB hasta 1 M/ 260 K IOPS
Resistencia 1 DWPD (hasta 14 PBW) 3 DWPD (hasta 35 PBW)
Confiabilidad

UBER: 1 sector por 1017 bits leídos

MTBF: 2 millones de horas

UBER: 1 sector por 1017 bits leídos

MTBF: 2 millones de horas

Alimentación

Promedio máximo de escritura activa: 20 W

Inactivo: 5 W

Promedio máximo de escritura activa: 20 W

Inactivo: 5 W

Garantía Garantía limitada de 5 años Garantía limitada de 5 años
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Información sobre productos y desempeño

1

Comparación de desempeño entre las SSD Intel® serie D7-P5600 y las SSD Intel® serie DC P4610. Consulte la nota sobre el producto SSD Intel® serie DC P4610 : https://www.intel.la/content/www/xl/es/products/docs/memory-storage/solid-state-drives/data-center-ssds/dc-p4610-p4618-series-brief.html.

2

Fuente - Intel. Comparación de desempeño medido para un desempeño de 4 KB (4096 Bytes) 70/30 lectura/escritura aleatoria QD256 (32 x 8 w) entre una SSD Intel® SSD serie D7-P5600 de 6,4 TB y una SSD Intel® serie DC P4610 de 6,4 TB. Configuración de sistema y prueba: CPU: Procesador Intel® Xeon® Gold 6139 a 2,30 GHz, BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, RAM: 96 GB, RAM Modelo: DDR4 2666MHz, Chipset: chipset Intel® C624, Hyper-Threading: desactivada, Regulador de CPU (a través del SO): Modo desempeño, SO: CentOS* 7.2, Kernel: 4.8.6. El desempeño medido fue de 520 K IOPS y 360 K IOPS para la D7-P5600 y la DC P4610, respectivamente. Una vez que la carga de trabajo alcanza un estado estable, se realizan las mediciones en toda la amplitud del rango de dirección de bloque lógico (LBA) de la unidad, incluidas todas las actividades en segundo plano requeridas para el funcionamiento normal y la confiabilidad de los datos. Modo de alimentación establecido en PM0.

3

Las latencias de cola hacen referencia a los tiempos de respuesta en el peor escenario posible, las latencias más bajas al 99,99% (4 9s) significan que la transacción más lenta de cada 10 mil transacciones mejorará. Fuente - Intel. Comparación del desempeño medido para latencias de QD1 de lectura aleatoria 100% 4 KB a una disponibilidad del 99,99999% (7 9s) entre una SSD Intel® serie D7-P5600 de 6,4 TB y una SSD Intel® serie DC P4610 de 6,4 TB. Las SSD D7-P5600 y DC P4610 se midieron en el firmware de producción más reciente de cada unidad, “10019” y “1047E”, respectivamente. La latencia medida fue de 0,48 ms y 2,57 ms para las SSD D7-P5600 y DC P4610, respectivamente. El desempeño de ambas unidades se midió utilizando FIO Linux CentOS* 7.2 kernel 4.8.6 con un tamaño de transferencia de 4 KB (4096 bytes) con profundidad de cola 1 (1 persona trabajando). Una vez que la carga de trabajo alcanza un estado estable, se realizan las mediciones en toda la amplitud del rango de dirección de bloque lógico (LBA) de la unidad, incluidas todas las actividades en segundo plano requeridas para el funcionamiento normal y la confiabilidad de los datos. Modo de alimentación establecido en PM0.

4

Fuente: IEEE International Solid State Circuits. ISSCC 2015, J. Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H. Maejima; ISSCC 2019 C. Siau. Las mediciones se hicieron en componentes de SSD que utilizan tecnología de retención de flash y puerta flotante. La plataforma de medición utilizada fue la de sistemas de prueba de memoria Teradyne Magnum 2, y la programación que utiliza márgenes y patrones aleatorios se cuantificó utilizando comandos del cliente. Datos medidos en agosto de 2019.

Es posible que las cargas de trabajo y el software utilizados en las pruebas de desempeño se hayan optimizado en términos de desempeño solo en microprocesadores Intel®. Las pruebas de rendimiento, como SYSmark* y MobileMark*, se miden utilizando un equipo de computación, componentes, software, operaciones y funciones específicos. Cualquier cambio en alguno de esos factores podría generar un cambio en los resultados. Debe consultar otra información y pruebas de desempeño que lo ayuden a evaluar plenamente las compras consideradas, incluido el desempeño de ese producto al combinarse con otros. Para obtener más información, visite www.intel.la/benchmarks.

Los resultados de desempeño se basan en pruebas realizadas en las fechas indicadas en las configuraciones y es posible que no reflejen todas las actualizaciones públicamente disponibles. Consulte las copias de seguridad para conocer los detalles de la configuración. Ningún producto o componente puede proporcionar una seguridad absoluta.

Sus costos y resultados pueden variar.

Es posible que las tecnologías Intel® requieran hardware y software habilitados o la activación de servicios.

© Intel Corporation. Intel y el logotipo Intel son marcas comerciales de Intel Corporación en los EE. UU. o en otros países. Otros nombres y marcas podrían ser reclamados como propiedad de terceros.