Inspirada en la nube. Desempeño optimizado.

Cumple con los requisitos actuales de desempeño, capacidad de administración y E/S de los centros de datos en una amplia variedad de cargas de trabajo.

La SSD Intel® D7-P5510, diseñada con tecnología Intel® 3D NAND, TLC, de 144 capas, ofrece un desempeño optimizado y capacidad para matrices basadas íntegramente en tecnología flash, y fue diseñada para incrementar la eficiencia de TI y la seguridad de los datos. La SSD Intel D7-P5510 incluye un controlador Intel PCIe 4.0 y firmware que aporta una latencia más baja, mejores capacidades de administración, escalabilidad y nuevas características de NVMe críticas para los entornos empresariales y de la nube.

Estas SSD, disponibles en formatos U.2 de 15 mm, se ofrecen con capacidades de 3,84 TB y 7,68 TB, con una resistencia para escritura de hasta 1 escritura a la unidad por día (DWPD).

Un mejor desempeño con una menor latencia

La SSD Intel D7-P5510 ofrece un alto desempeño previsiblemente rápido y puede acelerar enormemente todas las matrices basadas íntegramente en tecnología flash. La SSD D7-P5510 optimizada para desempeño ofrece un desempeño de lectura secuencial hasta dos veces mayor,1 latencias un 50 % más bajas2 y un aumento del 77 % de los IOPs de cargas de trabajo mixtas (70 % en lectura y 30 % en escritura)3 en comparación con la generación anterior de SSD Intel.

Una nueva arquitectura de TRIM mejora aún más el desempeño en cargas de trabajo de la vida real donde se utilizan comandos de administración de conjuntos de datos. La arquitectura optimizada de TRIM actualmente se ejecuta como un proceso en segundo plano, sin interferir en las cargas de trabajo, al mejorar el desempeño y QoS durante los TRIM simultáneos. El proceso de TRIM se mejora con una reducción de la amplificación de datos que ayuda a que las unidades cumplan con su objetivo de resistencia.

Mejoras de firmware para impulsar el desempeño, la eficiencia de TI, la seguridad de los datos y la capacidad de administración

La SSD Intel D7-P5510 incluye numerosas mejoras de firmware específicamente diseñadas para mejorar la eficiencia de TI y la seguridad de los datos en un mundo cada vez más centrado en los datos.

Los espacios de nombre múltiples dinámicos mejoran el aprovisionamiento de tiempo de ejecución y la administración del almacenamiento. Unidad de sobreaprovisionamiento con espacio de nombre único más pequeño para mejorar la resistencia y el desempeño de escritura aleatoria.4

  • La compatibilidad con el formato LBA ampliado brinda flexibilidad para alojar software para pasar metadatos e información de protección junto con los datos de carga útil. La SSD Intel D7-P5510 admite VSS con los siguientes tamaños de sector: 512/520/4096/4104/4160B.
  • Scatter Gather List (SGL) mejora el desempeño al eliminar la necesidad de alinear datos en el host.
  • Monitoreo SMART mejorado, que reporta el estado de salud de la unidad sin interrumpir el flujo de datos de E/S al usar un mecanismo dentro de la banda y un acceso fuera de la banda.
  • La autoprueba del dispositivo mejora la experiencia del cliente ya que aseguran que los dispositivos estén funcionando según lo previsto. El sistema host puede solicitar que los dispositivos de almacenamiento (SSD) realicen pruebas de desempeño para garantizar que funcionen adecuadamente, lo que incluye un control SMART, copia de seguridad de memoria volátil, integridad de NVM, vida útil de la unidad.
  • La telemetría permite acceder a una amplia variedad de datos almacenados e incluye funciones inteligentes de registro y seguimiento de errores. Esto aumenta la confiabilidad para encontrar y mitigar problemas, y admite ciclos de calificación acelerados, todo lo cual genera una mayor eficiencia de TI.
  • Se admiten otras funciones de seguridad como TCG Opal 2.0, bloqueo de espacio de nombre configurable, sanitización y formateo de NVM.
  • Un esquema de protección contra corte de suministro eléctrico inminente (PLI) con función de autoprueba incorporada protege contra la pérdida de datos en caso de que se corte repentinamente el suministro eléctrico. En conjunto con un esquema integral de protección de ruta de datos líder en la industria,5 las características de PLI permiten también una implementación sencilla en centros de datos resilientes en los cuales no se tolera la corrupción de datos debido a fallas a nivel del sistema.

Líder en el sector de la tecnología NAND

La tecnología NAND 3D de 144 capas Intel ofrece una densidad de área6 y una retención de datos7 líderes en la industria, lo que permite a los clientes empresariales escalar con confianza las matrices de almacenamiento para satisfacer sus crecientes necesidades. La rápida aprobación de infraestructuras definidas por el software e hiperconvergencia aumenta la necesidad de maximizar la eficiencia, revitalizar el hardware existente y aumentar la agilidad de los servidores, al mismo tiempo que se mantiene la confiabilidad operacional.

Los principales fabricantes de servidores empresariales respondieron al adoptar abiertamente las SSD basadas en PCIe/NVMe con desempeño escalable, baja latencia e innovación continua. Satisfacer la demanda de cargas de trabajo exigentes con uso intensivo de E/S, incluidas la IA y la analítica, se ha convertido en un elemento central de cualquier estrategia empresarial.

Características en un vistazo

Modelo SSD Intel® D7-P5510
Capacidad y formato U.2 15 mm: 3,84 TB, 7,68 TB
Interfaz PCIe 4.0 x4, NVMe 1,3c
Medios Tecnología Intel® 3D NAND, 144 capas, TLC
Desempeño L/E secuencial de 128 K hasta 7000/4194 MB/s
L/E aleatoria de 4 KB hasta 930 K/190 K IOPS
Resistencia 1 DWPD (hasta 14 PBW)
Confiabilidad

UBER: 1 sector por 1017 bits leídos

MTBF: 2 millones de horas

Alimentación

Promedio máximo de escritura activa: 18 W

Inactivo: 5 W

Garantía Garantía limitada de 5 años

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Avisos y descargos de responsabilidad8

Configuración para notas al pie 1 a 3: est y Configuración de sistema: Placa principal: Placa Intel® para servidores S2600WFT, Versión: R2208WFTZS, BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, Arquitectura de plataforma: x86_64, CPU: CPU Intel® Xeon® Gold 6140 a 2,30 GHz, Zócalos de CPU 2, Capacidad de RAM: 32 G, Modelo de RAM: DDR4, Versión de sistema operativo: centos-release-7-5, Id de versión: 1804, kernel: 4.14.74, Controlador de NVMe: Inbox, Fio versión: 3.5, se utilizó conmutador de PCIe 4.0 de Microsemi. P5510, P5316 se probaron en el firmware JCV10100 y ACV10005 respectivamente.

Información sobre productos y desempeño

1

Desempeño de lectura secuencial hasta 2 veces mejor - La afirmación se basa en una lectura secuencial de una SSD Intel® D7-P5510 de 128 KB (7,0 GB/s) superior a la lectura secuencial de una SSD Intel® DC P4510 de 128 KB (3,20 GB/s). Fecha de prueba: octubre de 2020.

2

Hasta un 50 % de mejora en la latencia - La afirmación se basa en una carga de trabajo aleatoria de 4KB 75/25 a 6(9s). La SSD Intel® D7-5510 (1100us) tiene una latencia un 50 % mejor que la SSD Intel® DC P4510 (2539us). Fecha de prueba: octubre de 2020.

3

La afirmación de IOPS de carga de trabajo mixta un 50 % mejor se basa en una SSD Intel® D7-P5510, 7,684 TB, 4 KB mixta 70/30 (400K) en comparación con una SSD Intel® DC P4510, 8 TB (266K). Fecha de prueba: octubre de 2020.

4

 Es posible leer sobre el beneficio de las unidades con sobreaprovisionamiento con espacio de nombre único más pequeño en este artículo: https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/white-papers/over-provisioning-nand-based-ssds-better-endurance-whitepaper.pdf.

5

Fuente: Los Alamos. Unidades probadas en la fuente: Los Alamos Neutron Science Center, https://lansce.lanl.gov/facilities/wnr/index.php. Factor de aceleración de neutrones 10^6. Prueba realizada en SSDs de puerto único, SSD Intel® DC S3520, SSD Intel® DC P3520, SSD Intel® DC P3510, SSD Intel® DC P4500, SSD Intel® DC S4500, SSD Intel® DC P4800X, SSD Intel® D7-P55XX, SSD Intel® D7-P56XX, Samsung PM953, Samsung PM1725, Samsung PM961, Samsung PM863, Samsung PM963, Samsung 860DCT, Samsung PM883, Samsung PM983, Micron 7100, Micron 510DC, Micron 9100, Micron 5100, Micron 5200, HGST SN100, Seagate 1200.2, SanDisk CS ECO, Toshiba XGS, Toshiba Z6000. Corrupción cero de datos silenciosos medida en unidades de un solo puerto Intel que representan un tiempo de medición acumulativo > 5 millones de horas. Se utiliza la radiación por neutrones para determinar los índices de corrupción de los datos silenciosos y como una medición de la eficacia global de la protección integral. Entre las causas de corrupción de datos en un controlador de SSD, se encuentran la radiación ionizante y la inestabilidad de SRAM. Después de que una unidad se bloqueara por comparar los datos esperados de la unidad con los reales, se midieron los errores silenciosos según el tiempo de ejecución y el reinicio posterior. El índice anual de corrupción de datos previsto se obtuvo de la división del índice durante las pruebas aceleradas por la aceleración del haz (consulte el estándar JESD89A de JEDEC).

6

Fuente: ISSCC 2015, J. Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H. Maejima; ISSCC 2019 C. Siau.

7

Las mediciones se hicieron en componentes de SSD que utilizan tecnología de retención de flash y puerta flotante. La plataforma de medición utilizada fue la de sistemas de prueba de memoria Teradyne Magnum 2, y la programación que utiliza márgenes y patrones aleatorios se cuantificó utilizando comandos del cliente. Datos medidos en agosto de 2019.

8

El desempeño varía según el uso, la configuración y otros factores. Más información en www.Intel.la/PerformanceIndex.

Los resultados de desempeño se basan en pruebas realizadas a las fechas indicadas en las configuraciones y es posible que no reflejen todas las actualizaciones que están a disposición del público. Consulte las copias de seguridad para conocer los detalles de la configuración. Ningún producto o componente puede ser absolutamente seguro.

Sus costos y resultados pueden variar.

Intel no controla ni audita los datos de terceros. Debería consultar otras fuentes para evaluar la exactitud.

Las tecnologías Intel podrían requerir hardware y software habilitados o la activación de servicios.