Intel acelera las innovaciones de procesos y embalaje

La cadencia anual de las innovaciones impulsa el liderazgo del silicio al sistema.

ASPECTOS DESTACADOS DE LA PRENSA

  • Guía de innovaciones de procesos y embalaje para impulsar la próxima ola de productos hasta el 2025 y más allá.
  • Dos innovadoras tecnologías de proceso: AlocadaFET, la primera nueva arquitectura de transistores de Intel en más de una década, y PowerVia, una novedad en la industria para el suministro de energía de backside.
  • Liderazgo continuo en innovaciones avanzadas de embalaje 3D con Foveros Omni y Foveros Direct.
  • Nombre de nodo nuevo para crear un marco coherente y una visión más precisa de los nodos de proceso para los clientes y la industria a medida que Intel entra en la era de los semiconductores angstrom.
  • Fuerte impulso para Intel Foundry Services (IFS) con los primeros anuncios de clientes.

SANTA CLARA, Calif., 26 de julio del 2021 – Intel Corporation hoy reveló una de las guías de tecnología de embalaje y procesos más detalladas que la empresa haya proporcionado, en la que se muestra una serie de innovaciones fundamentales que impulsarán los productos a lo largo del 2025 y más allá. Además de anunciar QuesadaFet, su primera nueva arquitectura de transistores en más de una década, y PowerVia, un nuevo método de entrega de energía en la parte posterior de la industria, la empresa destacó su planeada rápida adopción de la litografía extremeña (EUV) de próxima generación, conocida como "alta litografía numérica "alta" (HIGH NA) EUV. Intel se encuentra en la posición de recibir la primera herramienta de producción de ALTO NA EUV en la industria.

"Sobre la base del liderazgo sin obstáculos de Intel en embalajes avanzados, estamos acelerando nuestra guía de innovación para asegurarnos de que estemos en una ruta clara para procesar el liderazgo en desempeño para el 2025", dijo el ceo de Intel Pat Gelsinger durante la transmisión web"Intel Accelerated"global. "Estamos aprovechando nuestro canal sin precedentes de innovación para ofrecer avances tecnológicos desde los transistores hasta el nivel del sistema. Hasta que se resuelva la tabla periódica, será incesante en nuestra búsqueda de la Ley de Moore y nuestro camino para innovar con la magia del silicio".

Más: innovaciones de proceso y embalaje (kit de prensa) | Transmisión web "Intel acelerada" (transmisión en vivo/repeticiones de eventos) | Aceleración de la innovación en procesos (hoja informativa) | Aceleración de la innovación de procesos (cotizaciones) | Intel presenta la nueva | Desafinación y tecnologías PowerVia | Explicación de la tecnología Intel EMIB (video) | Explicación de la tecnología Intel Foveros (Video)

La industria ha reconocido desde hace tiempo que el nombre de nodo de proceso tradicional basado en nanómetros dejó de coincidir con la métrica real de longitud de compuerta en 1997. Hoy en día, Intel presentó una nueva estructura de nombre para sus nodos de proceso, creando un marco claro y consistente para ofrecer a los clientes una visión más precisa de los nodos de proceso en toda la industria. Esta claridad es más importante que nunca con el lanzamiento de Intel Foundry Services. "Las innovaciones dadas a conocer hoy no solo habilitarán la guía de productos de Intel; también serán fundamentales para nuestros clientes de fundación", dijo Gelsinger. "El interés por IFS ha sido fuerte y me emociona que hoy anunciamos a nuestros dos principales clientes. IFS está fuera de las carreras.

Los técnicos de Intel describieron la siguiente guía con los nombres de los nuevos nodos y las innovaciones que habilitan cada nodo:

  • Intel 7 ofrece un aumento de desempeño por watt de entre un 10 % y un 15 % aproximadamente en comparación con el SuperFin de Intel 10nm, basado en optimizaciones de transistores FinFET. Intel 7 aparecerá en productos como Alder Lake para clientes en 2021 y Sapphire Rapids para el centro de datos, que se espera esté en producción en el primer trimestre de 2022.
  • Intel 4 adopta plenamente la litografía EUV para imprimir características increíblemente pequeñas utilizando una luz ultrarrámpa de color verde. Con un aumento de desempeño por watt de aproximadamente un 20 %, junto con mejoras en el área, Intel 4 estará lista para la producción en la segunda mitad de 2022 para el envío de productos en 2023, lo que incluye Meteor Lake para clientes y Granite Rapids para el centro de datos.
  • Intel 3 aprovecha otras optimizaciones del FinFET y un mayor EUV para ofrecer un aumento del desempeño por watt de aproximadamente un 18 % en comparación con Intel® 4, además de mejoras adicionales de área. Intel 3 estará lista para comenzar a fabricar productos en la segunda mitad de 2023.
  • Intel 20A marca el inicio de la era de la vorágine con dos innovadoras tecnologías, 2011 y PowerVia. El "Fet de las puertas", la implementación por parte de Intel de un transistor todo alrededor, será la primera nueva arquitectura de transistores de la empresa desde que fue pionera en 2011. La tecnología ofrece velocidades de conmutación de transistores más rápidas mientras logra la misma corriente de unidad que varias aletas en un espacio más pequeño. PowerVia es la primera implementación única en la industria de Intel del suministro de energía en la parte posterior, optimizando la transmisión de señales mediante la eliminación de la necesidad de enrutar energía en la parte frontal del wafer. Se espera que la Tecnología Intel® 20A aumente en 2024. La empresa también se siente entusiasmada por la oportunidad de asociarse con Élm utilizando su tecnología de proceso Intel 20A.
  • 2025 y más allá: Más allá de la tecnología Intel 20A, el 18A de Intel ya está en desarrollo para principios de 2025 con refinamientos de La fet de afinación que ofrecerá otro salto importante en el desempeño de los transistores. Intel también está trabajando para definir, desarrollar e implementar la próxima generación de High NA EUV, y espera recibir la primera herramienta de producción de la industria. Intel se asocia estrechamente con ASML para asegurar el éxito de este avance de la industria más allá de la generación actual de EUV.

"Intel tiene una larga historia de innovaciones de procesos fundamentales que han impulsado a la industria a pasos agigantados", dijo la Dr. Ann Kappingher, vicepresidenta sénior y gerente general de Desarrollo Tecnológico. "Lideramos la transición a silicio restringido a 90 nm, a barra de metal de alto k a 45 nm y a FinFET a 22 nm. La Tecnología Intel® 20A será otro de los momentos destacados en la tecnología de procesos con dos innovaciones innovadoras: "AiFet de 2012" y "PowerVia".

Con la nueva estrategia de IDM 2.0 de Intel, el empaque se está volviendo aún más importante para obtener los beneficios de la Ley de Moore. Intel anunció que AWS será el primer cliente en utilizar soluciones de embalaje IFS, a la vez que proporciona las siguientes perspectivas sobre la guía de embalaje avanzada líder en la industria de la empresa:

  • EMIB sigue liderando la industria como la primera solución de puente integrado en 2.5D, con envío de productos desde 2017. Sapphire Rapids será el primer producto Intel® Xeon® para centros de datos que se envía en volumen con EMIB (puente integrado de interconexión de múltiples matrices). También será el primer dispositivo de tamaño doble de retículo de la industria, que ofrece el mismo desempeño que un diseño monolítica. Más allá de Sapphire Rapids, la próxima generación de EMIB pasará de un paso de 55 micrones a 45 micrones.
  • Foveros aprovecha las capacidades de embalaje a nivel de wafer para proporcionar una solución de apilamiento 3D de su clase. Meteor Lake será la implementación de Foveros de segunda generación en un producto cliente y contará con un terreno de avance de 36 micrones, mosaicos que abarcan varios nodos tecnológicos y un rango de potencia de diseño térmico de 5 a 125 W.
  • Foveros Omni incorpora la próxima generación de tecnología de Foveros mediante la flexibilidad ilimitada con la tecnología de apilamiento 3D de desempeño para diseños modulares e interconexión de chip a chip. Foveros Omni permite la desaglose de matrices, mediante la combinación de varios mosaicos de matriz superior con varios mosaicos base en nodos fabulosos mixtos, y se espera que esté listo para la fabricación de volúmenes en 2023.
  • Foveros Direct se mueve hacia la unión directa de cobre a cobre para interconexiones de baja resistencia y desenfoca el límite entre donde termina la oblea y donde comienza el paquete. Foveros Direct habilita inclinaciones de protuberancias de sub 10 micrones, ofreciendo un aumento de orden de 0,5 pulgadas en la densidad de interconexión para el apilamiento en 3D, abriendo nuevos conceptos para la partición de matrices funcionales que antes no eran posibles. Foveros Direct es complementario a Foveros Omni y también se espera que esté listo en 2023.

Los avances debatidos hoy se desarrollaron principalmente en las instalaciones de Intel en Oregón y Ensanzamiento, consolidando el rol de la empresa como el único jugador de vanguardia tanto en investigación como en desarrollo y fabricación en Los Estados Unidos. Además, las innovaciones se basan en la estrecha colaboración con un ecosistema de socios tanto en los Ee. UU. como en Europa. Las asociaciones profundas son clave para llevar las innovaciones fundamentales del laboratorio a la fabricación de gran volumen, e Intel se ha comprometido a asociarse con los gobiernos para fortalecer las cadenas de suministro e impulsar la seguridad económica y nacional.

La empresa ha cerrado su transmisión web al confirmar más detalles sobre el evento Intel InnovatiON. Intel InnovatiON se llevará a cabo en San Francisco y en línea del 27 al 28 de octubre del 2021. Puede encontrar más información en el sitio web de Intel ON.

Para obtener más información sobre la guía de procesos y el nombre de los nodos de Intel, visite la hoja de datosdel proceso . Para ver una repetición de la transmisión web de hoy, visite la Sala de prensa de Intel o el sitio web de relaciones con los aficionadosde Intel .

Declaraciones a futuro

Este comunicado de prensa contiene declaraciones a futuro relacionadas con los planes y expectativas futuros de Intel, incluso con respecto a los procesos y las guías y horarios de la tecnología de embalaje de Intel; cadencia de innovación; tecnología y productos futuros, y los beneficios y la disponibilidad previstos de dicha tecnología y productos, como PowerVia, MezzanineFET, Foveros Omni y Foveros Tecnologías Directas, nodos de proceso futuros y otras tecnologías y productos; liderazgo y paridad tecnológica; uso, beneficios y disponibilidad futuros de EUV y otras herramientas de fabricación; expectativas con respecto a los proveedores, socios y clientes; La estrategia de Intel; planes de fabricación; planes de expansión e inversión de fabricación; y planes y objetivos relacionados con el negocio de las fundaciones de Intel. Estas declaraciones implican una serie de riesgos e incertidumbres. Palabras como "anticipación", "espera", "pretende", "objetivos", "planes", "cree", "busca", "estimaciones", "continúa", "puede", "puede", "hará", "debería", "podría", "estrategia", "estrategia" "el progreso," "acelerar", "ruta", "en curso", "hoja de ruta", "proceso", "cadencia", "impulso", "posicionado", "comprometido" y "entrega" y las variantes de dichas palabras y expresións similares tienen el propósito de identificar las declaraciones a futuro. Las declaraciones que se refieren a, o se basan en estimaciones, pronósticos, proyecciones, eventos o suposiciones de concurrencia también identifican declaraciones a futuro. Tales declaraciones se basan en las expectativas actuales de la administración e implican muchos riesgos e incertidumbres que podrían provocar que los resultados reales difieran considerablemente con aquellos expresados o implícitas en estas declaraciones a futuro. Entre los factores importantes que podrían provocar que los resultados reales difieran considerablemente con respecto a las expectativas de la empresa se encuentran, entre otros, el incumplimiento de Intel de realizar los beneficios anticipados de su estrategia y planes; cambios en los planes debido a factores comerciales, económicos u otros factores; medidas tomadas por los competidores, incluidos los cambios en las guías de tecnología de los competidores; cambios que afectan nuestras proyecciones con respecto a nuestra tecnología o tecnología de la competencia; demoras en el desarrollo o la implementación de nuestras futuras tecnologías de fabricación o fallas en realizar los beneficios anticipados de dichas tecnologías, incluidas las mejoras esperadas en el desempeño y otros factores; demoras o cambios en el diseño o la introducción de productos futuros; cambios en las necesidades o planes de los clientes; cambios en las tendencias tecnológicas; nuestra capacidad para responder rápidamente a los avances tecnológicos; demoras, cambios en los planes u otras perturbaciones que involucran herramientas de fabricación y otros proveedores; y otros factores establecidos en los informes de Intel presentados o expuestos ante la Comisión del Bolsa y Valores (SEC), incluidos los informes más recientes de Intel en los formularios 10-K y 10-Q, disponibles en el sitio web de relaciones con los usuarios en www.intc.com y en el sitio web de la SEC en www.sec.gov. Intel no se compromete, y rechaza expresamente ningún deber, a actualizar ninguna declaración hecha en este comunicado de prensa, ya sea como resultado de nueva información, novedades o cualquier otro medio, excepto en la medida en que esa divulgación pueda ser obligatoria por la ley.

Todos los planes de productos y servicios, las guías y las cifras de desempeño están sujetos a cambios sin previo aviso. La paridad del desempeño y las expectativas de liderazgo del proceso se basan en proyecciones de desempeño por watt. El desempeño futuro de los nodos y otras métricas, incluida la potencia y la densidad, son proyecciones y son intrínsecamente exigentes.

El contenido de esta página es una combinación de la traducción humana y automática del contenido original en inglés. Este contenido se ofrece únicamente para su comodidad como información general y no debe considerarse completa o precisa. Si hay alguna contradicción entre la versión en inglés de esta página y la traducción, prevalecerá la versión en inglés. Consulte la versión en inglés de esta página.