Intel® 18A está listo para los proyectos de los clientes
Explore nuestro resumen de la tecnología y los aspectos destacados a continuación para conocer más sobre las innovaciones revolucionarias de la familia Intel® 18A, las ventajas de la industria y los detalles de los casos de uso.
Intel® 18A
- Ofrece hasta un 18 % más desempeño con energía iso, un 38 % menos de consumo de energía con desempeño iso y una mejora de la densidad de chip del 30 % en comparación con Intel® 3.1
- Habilita un escalamiento de voltaje a frecuencia más fuerte, ya que el silicio de producción demuestra una frecuencia de CPU aproximadamente un 30 % más alta a aproximadamente 0,5 V en comparación con los diseños FinFET.2
- PowerVia reduce la caída de voltaje dinámico en el peor de los casos hasta en 10 veces, a la vez que permite hasta un 11 % de compactación de área a nivel de bloque en los diseños enrutados.3
- RibbonFET mejora el control electrostático e impulsa la escalabilidad, lo que permite un mayor desempeño por vatio, una disminución de Vmin y un escalamiento más eficiente en todas las condiciones operativas.
- Los capacitores Omni MIM mejoran la integridad de la energía y reducen la caída de voltaje para las cargas de trabajo informáticas modernas.
- En producción de alto volumen en los Estados Unidos.
Intel® 18A-P
- Se basa en Intel® 18A con mejoras dirigidas, lo que ofrece un desempeño más de un 9 % más alto a energía iso o un consumo de energía más de un 18 % más bajo a desempeño iso a través de mejoras coordinadas en los transistores, las interconexiones y la DTCO.4
- La eficiencia mejorada de los transistores y la resistencia reducida ofrecen una frecuencia de front-end aproximadamente un 12 % más alta con fugas iso, lo que permite un mayor desempeño dentro del mismo rango de energía.4
- Presenta nuevas opciones de dispositivos RibbonFET con mejoras en la movilidad, incluidos los transistores Power Boost de doble contacto que ofrecen una mejora de la frecuencia de más del 10 % con un escalamiento neutral en cuanto a capacitancia.4
- Mejora la eficiencia de escalamiento con una resistividad térmica entre un 20 % y un 40 %4 más baja y una resistencia de vía entre un 10 % y un 30 % más baja, lo que permite un desempeño sostenido en diseños con alta densidad energética.4
- Amplía la flexibilidad con opciones de Vt lógicas adicionales y esquinas con un sesgo un 33 % más ajustado, lo que permite un ajuste de PPA más preciso.4
- Reduce la variación con un escalamiento neutral en cuanto a capacitancia, lo que permite incrementos de desempeño predecibles.
Intel® 18A-PT
- Primer chip básico de la industria con suministro de energía en la parte posterior, diseñado específicamente para diseños 3DIC avanzados y basado en la tecnología Intel® 18A.
- Capacidades de integración 3D, con vías a través de silicio (TSV) pass-through, TSV de chip a chip e interfaz de unión híbrida avanzada (HBI) con un paso líder en la industria, para un diseño de sistema de chips múltiples escalable.
- Ofrece una densidad hasta un 25 % más alta y un consumo de energía hasta un 35 % más bajo en comparación con Intel® 3-T.5
- Escalamiento de alto ancho de banda, con hasta 9 veces la densidad de ancho de banda de chip a chip, que admite cargas de trabajo de IA y HPC de última generación.5
PowerVia
A medida que aumenta la densidad de los transistores, el enrutamiento de señales mixtas y de energía crea una congestión que puede degradar el desempeño. La tecnología PowerVia de Intel® Foundry, la primera en la industria, reubica los metales de paso gruesos y las protuberancias en la parte posterior del chip e integra vías a través de silicio a nanoescala (nano-TSV) en cada celda estándar para una distribución de energía eficiente.
RibbonFET
RibbonFET es la arquitectura de transistores gate-all-around de Intel® Foundry, en la que el canal está completamente rodeado por el gate para permitir un control electrostático preciso. Esta estructura mejora el control de los efectos de canal corto y admite el escalamiento continuo de los transistores más allá de FinFET, a la vez que permite una optimización flexible a través de anchos de cinta variables y múltiples opciones de voltaje umbral.
Aplicaciones y casos de uso
HPC e IA
Para aplicaciones que requieren los niveles más altos de desempeño con alta eficiencia energética, el control de canal superior de RibbonFET ofrece un desempeño por vatio mejorado de los transistores con una corriente de accionamiento y un escalamiento altos.
Procesamiento de señales de imágenes, video y visión con IA
PowerVia puede tener un impacto significativo en el diseño de productos en aplicaciones industriales, donde su caída de IR reducida, el enrutamiento de señal mejorado y una mejor utilización de las celdas frontales contribuyen a reducciones significativas en la pérdida de energía. La reducción de área de RibbonFET permite más funcionalidad en chips más pequeños, lo que es beneficioso para sensores de uso médico e industrial compactos.
Procesadores de banda base y móviles
Para abordar las necesidades únicas de las aplicaciones móviles, Intel ofrece un nodo de proceso Intel® 18A-P optimizado. Nuestras técnicas de fabricación avanzadas ayudan a garantizar un desempeño consistente y confiable, mientras que los voltajes umbral ajustados ofrecen una eficiencia energética excepcional. Esto contribuye a generar mejoras generales en la autonomía de los dispositivos móviles.
Uso aeroespacial, gubernamental, de defensa
Los nuevos casos de uso en los sectores aeroespacial, de defensa y gubernamental exigen más potencia informática, a menudo con requisitos estrictos en cuanto a tamaño, peso, potencia y costo (SWaP-C). La baja caída de IR de Intel® 18A ofrece la eficiencia necesaria para aplicaciones con restricciones de energía, a la vez que ofrece un desempeño mejorado.
Alianzas del ecosistema del acelerador Intel® Foundry
Disfrute de asistencia integral en áreas clave de socios del ecosistema en IP, EDA, servicios de diseño, nube, USMAG, cadena de valor y alianzas de chiplets.
Intel® 18A en acción
El procesador para servidores Clearwater Forest demuestra el potencial de Intel® 18A en combinación con las tecnologías de embalaje avanzadas de Intel® Foundry.
Más de Intel® Foundry
Fabricación mundial
Intel® 18A se proporciona a través de nuestra red de fabricación mundial confiable, sostenible y segura.
Embalaje avanzado y pruebas
Intel® Foundry ofrece interconexiones de vanguardia, liderazgo en embalaje 2D, 2.5D y 3D, así como servicios integrales de ensamblaje y pruebas.
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Portal Intel® Foundry
Información sobre productos y desempeño
K. Fischer et al., “Intel 18A Platform Technology Featuring RibbonFET (GAA) and PowerVia for Advanced High-Performance Computing,” IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits, junio de 2025.
M. Shamanna et al., "CPU Cores in GAA with Backside Power: Silicon-Validated Design Insights," IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits, junio de 2026.
E. Karl et al., “Backside Power: Enabling Energy-Efficient Performance on Advanced Node Designs,” IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits, junio de 2026.
A. Bowonder et al., “Intel 18A-P CMOS Technology Enhancement Featuring Advanced RibbonFET (GAA) Transistors and PowerVia for High-Performance Computing,” IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits, junio de 2026.
Sobre la base de un análisis interno de Intel en el que se compara Intel® 18A-PT con Intel® 3-T al mes de abril de 2025. Los resultados pueden variar.