Memoria persistente Intel® Optane™ serie 100

módulo de 128 GB

Especificaciones

Especificaciones de exportación

Elementos fundamentales

Desempeño

  • Ancho de banda secuencial: 100 % de escritura (hasta) 1 GB/s
  • Ancho de banda secuencial: 67 % de lectura, 33 % de escritura (hasta) 1 GB/s
  • Ancho de banda secuencial: 100 % de escritura (hasta) 1 GB/s
  • Ancho de banda aleatorio: 100 % de escritura (hasta) 1 GB/s
  • Ancho de banda aleatorio: 67 % de lectura, 33 % de escritura (hasta) 1 GB/s
  • Ancho de banda aleatorio: 100 % de escritura (hasta) 1 GB/s
  • Latencia secuencial: lectura (hasta) 1 ns
  • Latencia aleatoria: Lectura (hasta) 1 ns
  • Potencia: TDP máx. 1 W
  • Frecuencia de la interfaz (hasta) 1

Confiabilidad

Información complementaria

  • Información sobre el producto Persistent Memory 100 Series
  • URL de información adicional Ver ahora
  • Descripción Persistent Memory 100 Series

Especificaciones de paquete

  • Componentes 1
  • Peso 1
  • Formato Persistent Memory Module (PMem)
  • Interfaz DDR-T

Pedidos y cumplimiento

Información sobre especificaciones y pedidos

Intel® Optane™ Persistent Memory 128GB Module (1.0) 4 Pack

  • MM# 999AVV
  • Código de pedido NMA1XXD128GPSU4
  • ID de contenido de MDDS 707580

Intel® Optane™ Persistent Memory 128GB Module (1.0) 50 Pack

Información de cumplimiento de la normativa comercial

  • ECCN 5A992CN3
  • CCATS G159019
  • US HTS 8473301140

Información sobre PCN

Controladores y software

Software y controladores más recientes

Descargas disponibles:
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Nombre

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Asistencia

Fecha de lanzamiento

La fecha en que se presentó inicialmente el producto.

Condiciones de uso

Las condiciones de uso son las condiciones de entorno y operación que se derivan del contexto de uso del sistema.
Para ver la información de condición de uso específica de la SKU, véase el informe PRQ.
Para ver la información de condición de uso actual, véase Intel UC (sitio de CNDA)*.

Ancho de banda secuencial: 100 % de escritura (hasta)

Velocidad en la que el dispositivo puede recuperar datos que forman un bloque de datos contiguo y ordenado. Medido en MB/s (MegaBytes por segundo)

Ancho de banda secuencial: 100 % de escritura (hasta)

Velocidad en la que el dispositivo puede registrar datos en un bloque de datos contiguo y ordenado. Medido en MB/s (MegaBytes por segundo)

Vibración - En funcionamiento

Vibración de unidad de estado sólido indica la capacidad probada de SSD para soportar la vibración registrada en el estado operativo y permanecer funcional. Medido en RMS (Root Mean Square) de fuerza G

Vibración - No en funcionamiento

Vibración no operativa indica la capacidad probada de SSD para soportar la vibración registrada en el estado no operativo y permanecer funcional. Medido en RMS (Root Mean Square) de fuerza G

Resistencia secuencial: 100 % de escritura

Representa los objetivos de resistencia de los módulos Intel® Optane™ PMEM que se describen en PBW (petabytes escritos). Los PBW se calcularon sobre la base de consideraciones de ancho de banda y de resistencia de medios durante 5 años de vida útil, suponiendo un ancho de banda secuencial máximo con el nivel de potencia indicado las 24 horas del día, los 365 días del año. Los resultados se han calculado en función de un análisis interno de Intel y sólo se proveen para fines informativos. Cualquier diferencia en el diseño o configuración del hardware o software del sistema podría afectar el desempeño real.

Resistencia aleatoria: 100 % de escritura

Representa los objetivos de resistencia de los módulos Intel® Optane™ PMEM que se describen en PBW (petabytes escritos). El PBW se ha calculado sobre la base de consideraciones de ancho de banda y de resistencia de medios durante 5 años de vida útil, al suponer un ancho de banda aleatorio máximo con nivel de potencia indicado, durante las 24 horas del día, los 365 días del año. Los resultados se han calculado en función de un análisis interno de Intel y sólo se proveen para fines informativos. Cualquier diferencia en el diseño o configuración del hardware o software del sistema podría afectar el desempeño real.

Tiempo promedio entre fallos (MTBF)

MTBF (Mean Time Between Failures) indica el tiempo operativo esperado entre fallas. Medido en horas.

Tasa de errores de bit incorregibles (UBER)

Tasa de error de bit no corregible (UBER) indica el número de errores de bits no corregibles, divididos por el número total de bits transferidos durante un intervalo de tiempo probado.

Tasa de fallas anual (AFR) % ≤

La tasa de fallas anualizada es el número de PMEM que pueden fallar en un año, el cual se representa como porcentaje.

Formato

El factor de forma indica el tamaño y forma estándar de la industria para el dispositivo.

Interfaz

La interfaz indica el método de comunicación del bus estándar que utiliza el dispositivo.

Intel® Memory Bandwidth Boost

Intel® Memory Bandwidth Boost: si hay margen térmico disponible en el módulo PMEM cuando la temperatura es inferior a <83 C, la CPU host elevará temporalmente el módulo PMEM hasta el TDP máximo para obtener un ancho de banda adicional por el tiempo definido en BIOS, entre tao de 1-120 segundos.

Mejoras en la protección contra pérdida de datos y el consumo de energía

La Protección de datos mejorada por pérdida de energía prepara la unidad de estado sólido para la pérdida de energía inesperada del sistema reduciendo los datos en transición en búfer temporales, y utiliza la capacidad de protección de pérdida de energía integrada para ofrecer suficiente energía para el firmware SSD para mover datos desde el búfer de transferencia y otros búfer temporales en la NAND, y de esa forma proteger los datos de sistema y del usuario.

Encriptación por hardware

El cifrado de hardware es cifrado de datos realizados a nivel de la unidad. Se utiliza para garantizar que los datos almacenados en la unidad estén seguros de intromisión no deseada.

Tecnología de alta resistencia (HET)

La Tecnología de alta resistencia (HET) en unidades de estado sólido combina las mejoras de silicio de memoria flash NAND Intel® y las técnicas de administración de sistema para ayudar a ampliar la resistencia de una unidad de estado sólido. Resistencia se define como la cantidad de datos que se puede copiar en una unidad de estado sólido durante su vida útil.

Supervisión y registro de temperatura

El monitoreo y registro de temperatura usa un sensor de temperatura interna para controlar y registrar el flujo de aire y la temperatura interna del dispositivo. Puede acceder a los resultados registrados con el comando SMART.

Protección de datos de extremo a extremo

La protección de datos de extremo a extremo garantiza la integridad de los datos almacenados en su traslado desde la computadora a la unidad de estado sólido y en su regreso.

Tecnología Intel® de respuesta inteligente

La tecnología Intel® de respuesta inteligente combina el rendimiento rápido de una unidad de estado sólido con la gran capacidad de una unidad de disco duro.

Tecnología Intel® Rapid Start

La tecnología Intel® Rapid Start permite una reanudación rápida del sistema del estado de hibernación.

Intel® Remote Secure Erase

Intel® Remote Secure Erase proporciona a los administradores de TI un método seguro para limpiar remotamente un Intel SSD, desde una consola de administración familiar, cuando se retira o se renueva un sistema. Esto permite volver a utilizar inmediatamente mientras se ahorra los costos y tiempo administrativo.