Transforming the Economics of Storage

Intel® 3D NAND Technology extends our leadership in flash memory with an architecture designed for higher capacity and optimal performance, a proven manufacturing process providing accelerated transitions and scaling, and rapid portfolio expansion for multiple market segments.

Storage Capacity Empowered by Intel® Innovation

Intel introduces the world’s first PCIe* SSDs with QLC technology. Intel® QLC 3D NAND Technology provides up to 33% higher capacity1 than its 3D NAND predecessor. It also uniquely features PCIe* acceleration, to deliver a reliable mix of performance, capacity, and value-making it a smart storage solution for both datacenter and client markets.

Intel® QLC Technology leverages current 3D NAND, with a proven 64-layer structure, and adds a new cell that provides 4bits/cell (QLC), making it the world's highest-density flash memory. Additionally, this technology uses a floating gate cell because it is a reliable, low-cost storage method. Last, Intel® QLC Technology was paired with PCIe*- (NVMe*) technology, to provide up to a 4x performance benefit over SATA interfaces.2

Prepare for the future with Intel QLC-built on reliable Intel® technology and backed by Intel manufacturing leadership.

Finally, SSD Performance Meets Big Business Value

For datacenters, Intel® QLC 3D NAND Technology radically shrinks HDD system footprints.3 Fewer systems to maintain lead to power and cooling savings4, while also reducing operation and capital costs associated with drive replacements.5 And while footprint goes down, performance goes up.6 PCIe* acceleration blasts through SATA bottlenecks7, unleashing the full power of QLC. When coupled with optional Intel® Optane™ technology, Intel® 3D NAND Technology datacenter products deliver even better performance2, accelerating access to data needed most.

Do more, store more, and save more with Intel® QLC Technology featured in the Intel® SSDs D5-P4320 and D5-P4326 Series-Currently shipping in limited quantities and available broadly winter, 2018.

Amazing Is Now Affordable

Intel® QLC 3D NAND Technology enables consumers to tackle today’s storage needs and prepare for the growing demands of tomorrow. These client SSDs pack in more data than TLC-based storage, allowing up to 2x more capacity in identical footprints.1 Only Intel coupled this game-changing technology with PCIe* to deliver affordable PCIe performance.

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Architected for Capacity and Reliability

Intel® 3D NAND Technology is an innovative response to the industry’s growing demand for data storage capacity. Compared to other available NAND solutions, Intel® 3D NAND Technology is designed on floating gate architecture with a smaller cell size and a highly efficient memory array, which enables higher capacity solutions and high reliability with strong protection from charge loss.

See How 3D NAND Advances Storage

Intel® 3D NAND Technology accelerates Moore's Law into three dimensions, overcoming the capacity limitations of traditional 2D NAND technology. The vertical layering of our 3D NAND enables higher areal density today, with scalability for the future.

Innovation Leadership

64-Layer Breakthrough

Intel has applied 30 years of flash cell experience to transition NAND from 2D to 3D, multi-level cell (MLC) to tri-level cell (TLC), and 32-layer to our breakthrough 64-layer technology. All of this is done to deliver the highest areal density8 and rapidly grow storage capacities in 3D NAND solutions.

Expansive Portfolio

Built on a Proven Process

With 3D NAND technology, Intel delivers innovative, high-value capabilities into a broad product portfolio. Our experience of designing this architecture into SSD solutions enables us to rapidly improve performance, power consumption, performance consistency, and reliability with each generation.

Manufacturing Scalability

Enabling Disruptive Opportunities

Intel is using manufacturing processes proven by decades of high volume output to build 3D NAND technology. With strong generational synergy across our factory network, Intel expects to grow 3D NAND capacity faster than the market, enabling us to deliver disruptive total cost of ownership and application acceleration to our customer base.

Información sobre productos y desempeño

1

En la TLC (celda de nivel triple), se incluyen 3 bits por celda; por otra parte, en la QLC (celda de nivel cuádruple), se incluyen 4 bits por celda. Se calcula como (4-3)/3 = 33 % bits adicionales por celda.

 

2

Clúster vSAN de 4 nodos – Configuración del sistema de 1 nodo: modelo de servidor Intel Purley S2600WF (R2208WFTZS); MB: H48104-850; CPU: procesador Intel® Xeon® Gold 6142 doble de 2,6 GHz, 16C/32T, 10,4 GT/s, caché de 22 M, turbo, DDR4-2666 HT (150 W); memoria: RDIMM de 16 GB, 2666 MT/s, banco doble de x16; NIC: Intel X520-DA2 de 10 GbE, DAC SFP+ y LAN integrada Intel X722 de 10 GbE. Todas las configuraciones de TLC: 2 discos duros de estado sólido Intel® SSD para centro de datos serie P4610 de 1,6 TB para el caché y 4 discos duros de estado sólido Intel® SSD para centro de datos serie P4510 de 4,0 TB para el almacenamiento; configuración de QLC y memoria Intel® Optane™: 2 SSD Intel® Optane™ para centro de datos P4800X de 375 GB para el caché y 2 disco duro de estado sólido Intel® SSD D5-P4320 de 7,68 TB para el almacenamiento. 2 Cargas de trabajo – HCIBench: https://labs.vmware.com/flings/hcibench. Cantidad de máquinas virtuales (VM): 16; cantidad de discos de datos: 8; tamaño de los discos de datos: 60; cantidad de discos en los que se realizarán pruebas: 8; porcentaje de espacio de trabajo: 100; número de hilos por disco: 4; tamaño del bloque: 4 K; porcentaje de lectura: 70; porcentaje aleatorio: 50; tiempo de prueba: 3600. Resultados: configuración de P4610 y P4510 = 83 451 IOPS a una latencia de 6,3 ms. Configuración de P4800x y P43220 = 346 644 IOPS a una latencia de 1,52 ms. 

 

3

Comparación entre un disco duro WD Gold de categoría empresarial de 7200 RPM, 3,5" y 4 TB con el que se habilitan hasta 24 disco duros por cada 2U y un total de 20 U y 960 TB y un disco duro de estado sólido Intel® SSD D-5 P4326 E1.L de 30,72 TB (disponible en el futuro) con el que se habilitan hasta 32 por cada 1U y un total de 1U y 983 TB. Es decir, se pasa de 20 unidades de bastidor a 1 unidad de bastidor.

 

4

Ahorros de costos en cuanto a la consolidación, la refrigeración y el consumo de energía. Basado en un disco duro de 4 TB y 7200 RPM, AFR del 2,00 % y potencia activa de 7,7 W, 24 unidades en 2U (potencia total de 1971 W) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf y un disco duro de estado sólido con AFR del 44 % de potencia activa de 22 W, 32 unidades en 1U (potencia total de 704 W). El costo de refrigeración se basa en un período de implementación de 5 años con costos de Kwh de $0,158 y una cantidad de vatios para enfriar 1 vatio de 1,20. Basado en un disco duro de 3,5" de 24 unidades en 2U y un formato EDSFF de 1U de largo y 32 unidades en 1U. Almacenamiento híbrido basado en el uso del disco duro de estado sólido de celda de nivel triple Intel® (Intel® TLC) para la caché.

 

5

Ahorro de costos en cuanto al reemplazo de la unidad. Cálculo – Disco duro: AFR del 2 % x 256 unidades x 5 años = 25,6 reemplazos en 5 años; disco duro de estado sólido: AFR del 0,44 % x 32 unidades x 5 años = 0,7 reemplazos en 5 años.

 

6

Se compara la IOPS de lectura aleatoria de 4 K y la profundidad de cola de 32 entre el disco duro de estado sólido Intel D5-P4320 y el disco duro Toshiba N300. 175 000 IOPS: datos medidos a partir de un disco duro de estado sólido Intel D5-P4320 de 7,68 TB. IOPS de lectura aleatoria de 4 K; profundidad de cola de 32. 532 IOPS: según el análisis de desempeño de Tom’s Hardware del disco duro Toshiba N300 de 8 TB y 7200 RPM. IOPS de lectura aleatoria de 4 K; profundidad de cola de 32: https://www.tomshardware.com/reviews/wd-red-10tb-8tb-nas-hdd,5277-2.html. Por esta razón, la IOPS de lectura aleatoria de 4 K es 329 veces superior.

 

7

IOPS PCIe* basadas en lectura aleatoria de 4 K simulada, profundidad de cola de 256, cálculos de desempeño llevados a cabo por Intel para PCIe* Intel D5-P4320/D5-P4326 basado en un disco duro de estado sólido de QLC en distintos niveles de capacidad: 3,84 TB; 7,68 TB; 15,36 TB y 30,72 TB. IOPS SATA configurada como 100 000 IOPS para todos los puntos de capacidad basados en 100 000 IOPS como el valor máximo posible para los discos duros de estado sólido basados en SATA actuales de la competencia de Micron. Especificaciones técnicas del disco duro de estado sólido Flash NAND Micron serie 5200, en las que se muestra una IOPS de QD32 de lectura aleatoria máxima de 4 K de 95 000 IOPS para los SKU de 3,84 TB y 7,68 TB. Las especificaciones técnicas se encuentran aquí: https://www.micron.com/parts/solid-state-storage/ssd/mtfddak7t6tdc-1at16ab?pc={1E253C11-6399-4D14-A445-F1DE2EB7ECAC}

 

8

Comparación de la densidad de almacenamiento de datos medidos por Intel en un Intel® 3D NAND de 512 GB con un producto representativo de la competencia según lo señalado en los artículos científicos de 2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference en el que se mencionan los tamaños de pastillas de Samsung Electronics y Western Digital/Toshiba para el componente 3D NAND con 64 pilas.