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Asistencia

Memoria de sistema para Intel ® Desktop Board DH61ZE


Última revisión: 04-Feb-2016
ID del artículo: 000008155


Características de la memoria de sistema
La placa tiene dos zócalos DIMM y es compatible con las funciones siguientes de memoria:

  • Dos canales de memoria independiente con compatibilidad con el modo entrelazado
  • Es compatible con 1.2V – 1,8 v voltaje de memoria DIMM
  • Compatibilidad con ECC, sin memoria intermedia, con módulos DIMM de una o dos caras con 8 x organización
  • 16 GB de memoria máxima total de sistema (con la tecnología de memoria de 4 Gb)
  • Memoria total del sistema mínima: 1 GB utilizando el módulo de 8 x 1 Gb
  • Detección de presencia serie
  • DDR3 de 1333 MHz y DIMM de SDRAM DDR3 de 1066 MHz

Para el cumplimiento total con todas las especificaciones de memoria SDRAM DDR aplicable, la placa debe utilizar DIMMs que son compatibles con la estructura de datos de detección de presencia serie (SPD). Esto permite que el BIOS lea los datos SPD y programe el chipset para con exactitud las configuraciones de memoria para un rendimiento óptimo. Si se instala memoria que no es SPD, el BIOS intenta configurar correctamente las opciones de memoria, pero pueden verse afectados el rendimiento y fiabilidad o los DIMM podrían funcionar por debajo de la frecuencia determinada.

1,5 v es el recomendado y la opción predeterminada de voltaje de memoria DDR3. Las otras opciones de voltaje de memoria en el programa de configuración del BIOS se proporcionan únicamente con fines performance tuning. La modificación el voltaje de la memoria podría (i) reducir la estabilidad del sistema y la vida útil del sistema, la memoria y del procesador; (ii) hacer que el procesador y otros componentes del sistema fallen; (iii) reducir el rendimiento del sistema; (iv) provocar calor adicional u otros daños; y la integridad de los datos (v) afectan al sistema.

Intel no ha probado y no garantiza el funcionamiento del procesador más allá de sus especificaciones. Para obtener información sobre la garantía del procesador, consulte Información de garantía del procesador.

Configuraciones de memoria compatibles

Capacidad de DIMMConfiguraciónDensidad de SDRAMOrganización SDRAM-lado frontal/lado posteriorNúmero de dispositivos SDRAM
512 MBUna cara1 Gbit64 M x 16 / blanco4
1 GBUna cara1 Gbit128 M x 8 / blanco8
1 GBUna cara2 Gbit128 M x 16 / blanco4
2 GBDos caras.1 Gbit128 M x 8 / 128 M x 816
2 GBUna cara2 Gbit128 M x 16 / blanco8
4 GBDos caras.2 Gbit256 M x 8 / 256 M x 816
4 GBUna cara4 Gbit512 MB x 8 / blanco8
8 GBDos caras.4 Gbit512 MB x 8 / 512 M x 816

Memoria probada

Memoria probada de terceros
La tabla a continuación incluye piezas que han pasado las pruebas durante el desarrollo. Es podrían que estos números de pieza no esté disponibles a lo largo de la vida útil del producto.

Fabricante del móduloNúmero de pieza del móduloTamaño de móduloVelocidad del móduloECC o sin ECC
ADATAM3OHYMH3J4130G2C5Z2 GB1333 MHzNo ECC
APACER240P1 GB1333 MHzNo ECC
ELPIDAEBJ10UE8BBF01 GB1066 MHzNo ECC
ELPIDAEBJ10UE8BDF01 GB1333 MHzNo ECC
ELPIDAEBJ21UE8BBF02 GB1066 MHzNo ECC
ELPIDADJ-EBJ21UE8BDF0-F2 GB1333 MHzNo ECC
HynixHMT112U6BFR8C-G71 GB1066 MHzNo ECC
HynixHMT112U6TFR8C-H91 GB1333 MHzNo ECC
HynixHMT125U6BFR8C-G72 GB1066 MHzNo ECC
HynixHMT125U6BFR8C-H92 GB1333 MHzNo ECC
HynixHMT351U6AFR8C-H94 GB1333 MHzNo ECC
MicronMT8JTF12864AY1GB1066MHzNo ECC
MicronMT8JTF12864AZ-1G4F11 GB1333 MHzNo ECC
MicronMT16JTF25664AY-1G1D12 GB1066 MHzNo ECC
MicronMT16JF25664AZ-1G4F12 GB1333 MHzNo ECC
QIMONDAIMSH51U03A1F1C512 MB1066 MHzNo ECC
QIMONDAIMSH1GU13A1F1C1 GB1066 MHzNo ECC
SAMSUNGM378B2873EH1-CF81 GB1066 MHzNo ECC
SAMSUNGM378B22873DZ1-CH91 GB1333 MHzNo ECC
SAMSUNGM378B5673DZ12 GB1066 MhzNo ECC
SAMSUNGM378B5673FH0-CH92 GB1333 MHzNo ECC
SAMSUNGM378B5273DH0-CH94 GB1333 MhzNo ECC

- Esta información es una combinación de una traducción hecha por humanos y de la traducción automática por computadora del contenido original para su conveniencia. Este contenido se ofrece únicamente como información general y no debe ser considerada como completa o precisa.

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