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Asistencia

Memoria de sistema para el D945GCNL de la Desktop Board Intel®


Última revisión: 28-Jan-2016
ID del artículo: 000006603

Características de la memoria de sistema
La placa tiene dos zócalos DIMM y es compatible con las funciones siguientes de memoria:

  • 1,8 v (únicamente) DDR2 SDRAM DIMM con contactos revestidos de oro.
  • DIMM sin memoria intermedia, una o dos caras con la restricción siguiente: DIMMs de dos caras con x16 organización no son compatibles.
  • 2 GB de memoria máxima total de sistema.
  • Memoria total del sistema mínima: 128 MB.
  • No ECC DIMM.
  • Detección de presencia serie.
  • DDR2 667, DDR2 533 o DIMM de SDRAM DDR2 de 400 MHz.
Notas de la
  • Eliminar la PCI Express x16 vídeo tarjetas antes de instalar o actualizar la memoria para evitar la interferencia con el mecanismo de retención de memoria.
  • Independientemente del tipo DIMM utilizado, la frecuencia de memoria es igual o menor que la frecuencia del Bus de sistema de procesador. Por ejemplo, si se utiliza memoria DDR2 533 con un procesador de frecuencia de Bus de sistema de 800 MHz, la memoria funcionará a 533 MHz.
  • Para que sea totalmente compatible con las especificaciones de SDRAM Intel® aplicables, la placa debe tener DIMM compatibles con la estructura de datos de detección de presencia serie (SPD). Si los módulos de memoria no admiten SPD, muestra una notificación en la pantalla al consumo de energía hasta un. El BIOS intentará configurar el controlador de memoria para la operación normal.
 

Configuraciones DIMM compatibles
La siguiente tabla enumera las configuraciones DIMM admitidas.

Capacidad de DIMMConfiguraciónDensidad de SDRAMLa organización de SDRAM frontal y posteriorNúmero de dispositivos SDRAM
128 MBSS256 Mbit4 de 16 M x 16/vacío4
256 MBSS256 Mbit8 de 32 M x 8/vacía8
256 MBSS512 Mbit32 M x 16/vacío 44
512 MBDS256 Mbit32 M x 8/32 M x 16 816
512 MBSS512 Mbit8 de 64 M x 8/vacía8
512 MBSS1 Gbit4 de 64 M x 16/vacío4
1024 MBDS512 Mbit64 M x 8/64 M x 16 816
1024 MBSS1 Gbit8 de 128 M x 8/vacía8
 
Tenga en cuentaEn la segunda columna, "DS" son las siglas de módulos de memoria de dos caras (dos filas de SDRAM). "SS" son las siglas de módulos de memoria de una cara (una fila de SDRAM).
 

Memoria probada

memorias probadas con la 3ª parte*
memoria de terceros probados 3ª se presenta como de los proveedores de memoria y se ha probado en una institución de memoria independiente que no es una parte de Intel: Computer Memory Test Labs (CMTL).

Proveedor de memoria probada
Intel ofrece a los proveedores de memoria que participan en este programa un plan de prueba de memoria común que pueden utilizar como verificación básica de la estabilidad de la memoria. Las memorias mencionadas aquí han sido probadas ya por el proveedor de memoria o por Intel a través de dicho plan de prueba. Estos números de pieza no estén inmediatamente disponibles a lo largo de la vida útil del producto.

La tabla a continuación incluye piezas que han pasado las pruebas efectuadas por el programa de comprobación automática de Intel para el D945GCNL Intel® Desktop Board.

Número de pieza del proveedor/módulo de móduloTamaño de móduloVelocidad del módulo (MHz) 1Latencia CL-tRCD-tRP¿ECC o sin ECC?Organización de DIMMCódigo de la fecha de móduloNúmero de pieza componente utiliza/Comp
Corsair * VS256MB667D2256 MB667 No ECC   
ELPIDA * EBE11UD8AEFA-6E-E1 GB6675/5/5No ECCDSX8514ELPIDA E5108AE-6E-E
Hynix * HYMP512U64CP8-Y5-AB1 GB6675/5/5No ECCDSX8649Hynix HY5PS12821CFP-Y5
Hynix HYMP532U64CP6256 MB6675/5/5No ECCSSX8626Hynix HY5PS121621CFP-Y5
Hynix HYMP564U64BP8-S6 AB512 MB667 No ECC   
Hynix HYMP564U64P8-E3512 MB4003/3/3No ECCSSX8505Hynix HY5PS12821FP-E3
Infineon * HYS64T32000HU-2.5-B256 MB8006/6/6No ECC   
Infineon HYS64T32000HU-3S-B256 MB6675/5/5No ECCSSX16540QIMONDA * HYB18T512160BF-3S
Infineon HYS64T3200HU-3.7-A256 MB5334/4/4No ECCSSX16526Infineon HY18T512160AF-3.7
Infineon HYS64T6400HU-2.5B512 MB8006/6/6No ECCSSX8646QIMONDA HYB18T5128008F-25
Kingston * KVR667D2N5256 MB6675/5/5No ECC   
Micron * MT4HTF3264AY-53EB1256 MB5334/4/4No ECCSSX16524Micron MT47H32M16CC
Micron MT4HTF3264AY - 800d3256 MB8006/6/6No ECCSSX16646Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF5264AY-667B2256 MB667 No ECC   
NANYA * NT1GT64U8HB0BY - 25D1 GB8006/6/6No ECCDSX8703NANYA NTSTU66M88E - 25D
NANYA NT512T64U88B0BY - 25D512 MB8006/6/6No ECCSSX8626NANYA NTSTU66M88E - 25D
Patriot * PSD21G66721 GB6675/5/5No ECCDSX8446Micron MT47H64M8BT-3
PSC * AL6E8E63B-8E1K512 MB800 No ECC   
RAMAXEL * RML1520HB38D6F-667512 MB667 No ECC   
Samsung * KRM378T2953CZ0-CE61 GB6675/5/5No ECCDSX8552Samsung K4T51083QC
Samsung M378T6453FGO-CD5512 MB5334/4/4No ECCDSX8422Samsung K4T56083QF-GC05
Samsung M378T6553CZ3-CF7512 MB8006/6/6No ECCSSX8641Samsung K4T51083QC-ZCF7
SMART * TB4D2667C58D1 GB667 No ECC   
Super Talent * T800UB1GC41 GB800 No ECC   
 

1 la memoria de 800 MHz funciona a 667 MHz.

- Esta información es una combinación de una traducción hecha por humanos y de la traducción automática por computadora del contenido original para su conveniencia. Este contenido se ofrece únicamente como información general y no debe ser considerada como completa o precisa.

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